[发明专利]一种凹坑形永磁体及包括该永磁体的磁传感器无效
| 申请号： | 201210180463.1 | 申请日： | 2012-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN102723163A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 刘明峰;白建民;诸敏 | 申请（专利权）人： | 江苏多维科技有限公司;兰州大学 |
| 主分类号： | H01F7/02 | 分类号： | H01F7/02;H01F1/057;H01F1/047;H01F1/10;H01F41/02;G01D5/12 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 张雪梅 |
| 地址： | 215634 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 凹坑形 永磁体 包括 传感器 | ||
【权利要求书】：
1.一种永磁体，其特征在于，该永磁体呈凹坑形。
2.根据权利要求1所述的永磁体，其特征在于，所述永磁体的坑沿面(121)呈回形，坑底面(122)和坑侧面(123)为长方形或正方形，且所述坑侧面(123)分别与所述坑沿面(121)和所述坑底面(122)垂直。
3.根据权利要求1所述的永磁体，其特征在于，所述永磁体的坑沿面(131)呈回形，坑底面(132)呈长方形或正方形且与所述坑沿面平行，至少一个坑侧面(133)呈梯形，所述梯形坑侧面(133)与所述坑底面(132)所成的角度大于90°且小于180°。
4.根据权利要求1所述的永磁体，其特征在于，所述永磁体的坑沿面(141)呈回形，坑底面(142)呈长方形且与所述坑沿面(141)平行，至少一个坑侧面(143)呈曲面形。
5.根据权利要求1所述的永磁体，其特征在于，所述永磁体的材质包括钕铁硼、钐钴或硬磁铁氧体。
6.一种磁传感器，其特征在于，该磁传感器设有磁传感芯片和权利要求1-5中任意一项所述的永磁体，所述永磁体被设置为其凹坑朝向所述磁传感芯片。
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