[发明专利]RF LDMOS中改善漏电的方法无效
| 申请号： | 201210180119.2 | 申请日： | 2012-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN103035529A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 遇寒 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 高月红 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | rf ldmos 改善 漏电 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种RF LDMOS中改善漏电的方法，其特征在于，包括步骤：
（1）在多晶硅栅极刻蚀形成后，在牺牲氧化层表面和多晶硅栅极的周围，淀积第一氧化层；
（2）干法刻蚀淀积的第一氧化层，形成多晶硅栅极侧墙；
（3）湿法去除栅极两侧的牺牲氧化层；
（4）进行源漏注入及侧墙工艺，完成RF LDMOS的制作。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤（1）中，多晶硅栅极的周围包括：多晶硅栅极两侧面和多晶硅栅极表面；
淀积的方法，包括：低压化学气相淀积。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤（1）中，第一氧化层，包括：氧化硅层。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于：所述步骤（1）中，第一氧化层的厚度为200～500埃。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤（2）中，侧墙的厚度为150～400埃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
