[发明专利]基于聚偏氟乙烯和石墨烯的复合介质薄膜材料及制备方法无效
申请号: | 201210179758.7 | 申请日: | 2012-06-04 |
公开(公告)号: | CN102729562A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 徐建华;王偲宇;陈燕;杨文耀;杨亚杰;龙菁 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | B32B27/30 | 分类号: | B32B27/30;B32B27/20;C08L27/16;C08K3/04 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 葛启函 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 聚偏氟 乙烯 石墨 复合 介质 薄膜 材料 制备 方法 | ||
1.基于聚偏氟乙烯和石墨烯的复合介质薄膜材料,包括衬底位于衬底表面的复合介质薄膜,所述复合介质薄膜由聚偏氟乙烯和石墨烯复合而成;其中石墨烯的质量百分比含量为复合介质薄膜质量的0.5%到3%。
2.基于聚偏氟乙烯和石墨烯的复合介质薄膜材料的制备方法,包括以下步骤:
步骤1:配制质量百分比浓度不超过5%的聚偏氟乙烯粉末的有机溶液,记为体系A;
步骤2:往体系A中加入石墨烯粉末,超声分散均匀,得到的混合体系记为体系B;其中体系B中石墨烯粉末的质量百分比含量为体系B中聚偏氟乙烯和石墨烯粉末质量和的0.5%到3%。
步骤3:采用超声雾化工艺,将步骤2所得体系B喷涂于衬底表面;
步骤4:对喷涂于衬底表面的体系B进行烘干处理,去除有机溶剂,得到基于聚偏氟乙烯和石墨烯的复合介质薄膜材料。
3.根据权利要求2所述的基于聚偏氟乙烯和石墨烯的复合介质薄膜材料的制备方法,其特征在于,体系A中有机溶剂是二甲基亚砜、二甲基甲酰胺、氯仿、二甲基乙酰胺、四氢呋喃、N-甲基吡咯烷酮、磷酸三乙酯或四甲基脲。
4.根据权利要求2所述的基于聚偏氟乙烯和石墨烯的复合介质薄膜材料的制备方法,其特征在于,配制体系A时,伴以20~100℃的超声处理,以加速聚偏氟乙烯粉末的溶解。
5.根据权利要求2所述的基于聚偏氟乙烯和石墨烯的复合介质薄膜材料的制备方法,其特征在于,步骤4中烘干温度为40~100℃,时间为2~5小时。
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