[发明专利]一种高精度AC/DC转换器限流电路有效

专利信息
申请号: 201210179257.9 申请日: 2012-05-30
公开(公告)号: CN102710130B 公开(公告)日: 2017-10-10
发明(设计)人: 王晓飞;孙权;袁小云 申请(专利权)人: 西安航天民芯科技有限公司
主分类号: H02M3/155 分类号: H02M3/155
代理公司: 西安利泽明知识产权代理有限公司61222 代理人: 段国刚
地址: 710075 陕西省西安市*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 高精度 ac dc 转换器 限流 电路
【说明书】:

技术领域

发明属于电学领域,特别涉及一种高精度AC/DC转换器限流电路。

背景技术

近年来随着便携式电子设备和LED照明的蓬勃发展,广泛应用于ADAPTER和照明驱动的AC/DC转换器迅速发展,然而传统AC/DC转换器的限流特性会随着限电压变化而变化,大大影响了AC/DC转换器输出功率的稳定性,给实际应用中带来隐患。

发明内容

本发明的目地是提供一种高精度AC/DC转换器限流电路,实现电流限制与输入线电压无关,从而保证输出功率的稳定性。

为实现上述目的,本发明采用的技术方案为:

一种高精度AC/DC转换器限流电路,其特征在于,包括带隙基准电路和电流限制补偿电路,其中所述电流限制补偿电路还包括限流电路,比较电路和Buffer缓冲电路。

所述的带隙基准电路包括三个双极型晶体管,八个P型MOS管,两个运放,一个电流漏和五个电阻,其连接方式为:第零P型MOS管MP0的栅极、第零P型MOS管MP0的漏极与电流漏的输入端连接;第一运算放大器A1输出端、第一P型MOS管MP1的栅极、第二P型MOS管MP2的栅极与第三P型MOS管MP3的栅极连接;第一P型MOS管MP1的漏极与第四P型MOS管MP4的源极连接;第二P型MOS管MP2的漏极与第五P型MOS管MP5的源极连接;第三P型MOS管MP3的漏极与第六P型MOS管MP6的源极连接;第一运算放大器A1的同相输入端、第五P型MOS管MP5的漏极、电阻R1的一端连接;第一运算放大器A1的反相输入端、第四P型MOS管MP4的漏极与第一P型双极型晶体管Q1的集电极连接;电阻R1的另一端与第二P型双极型晶体管Q2的集电极连接;第六P型MOS管MP6的漏极、电阻R2的一端、带隙基准电压输出端Vref与第二运算放大器A2的反相输入端连接;电阻R2的另一端、电阻R3的一端与带隙基准电压输出端VL连接;电阻R3的另一端与第三P型双极型晶体管Q3的集电极连接;第七P型MOS管MP7的栅极与第二运算放大器A2的输出端连接;第七P型MOS管MP7的漏极、带隙基准电压输出端VH与电阻R4的一端连接;电阻R4的另一端、第二运算放大器A2的同相输入端与R5的一端连接;第零P型MOS管MP0的源极、第一P型MOS管MP1的源极、第二P型MOS管MP2的源极、第三P型MOS管MP3的源极、第七P型MOS管MP7的源极与电源VDD连接;电流漏的输出端、第一P型双极型晶体管Q1的基极、第一P型双极型晶体管Q1的发射极、第二P型双极型晶体管Q2的基极、第二P型双极型晶体管Q2的发射极、第三P型双极型晶体管Q3的基极、第三P型双极型晶体管Q3的发射极、电阻R5的另一端与地GND连接。

所述的限流电路包括四个运算放大器,二个开关,一个同或门,一个电流源,一个电流漏,一个电容,一个电阻,一个电感,一个N型MOS管和一个D触发器,其连接方式为:电流源Ip流出端与开关Sp的一端连接;开关Sp的另一端、开关Sn的一端、电容C的一端、第一运算放大器VO1的同相输入端、第二运算放大器VO2的同相输入端与第三运算放大器buffer的同相输入端连接;电流漏In流入端与开关Sn的另一端连接;带隙基准电压输出端VH与第一运算放大器VO1的反相输入端连接;带隙基准电压输出端VL与第二运算放大器VO2的反相输入端连接;第一运算放大器VO1的输出端与同或门的输入端A连接;第二运算放大器VO2的输出端与同或门的输入端B连接;同或门的输出端与第零触发器D0的时钟输入端连接;第零触发器D0的端口D与第零触发器D0的端口Q非连接;第零触发器D0的端口Q与端口Q0连接;第三运算放大器buffer的反相输入端、第三运算放大器buffer的输出端与第四运算放大器PWM compare的同相输入端连接;第四运算放大器PWM compare的反相输入端与CS连接;第四运算放大器PWM compare的输出端与端口PWM off连接,电流源Ip流入端、第零触发器D0的端口SET、第零触发器D0的端口CLR与电源VDD连接,电流漏In流出端、电容C的另一端与地GND连接,电感L的一端与N型MOS开关管Mn的漏极连接;N型MOS开关管Mn的源极、端口CS与电阻RL的一端连接;N型MOS开关管Mn的栅极与端口PWM off连接,电感的另一端与电源Vin连接;电阻RL的另一端与地GND连接。

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