[发明专利]硅片向背面倾斜腐蚀方法无效
| 申请号： | 201210179212.1 | 申请日： | 2012-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN102709172A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 王亮;王欢;王国栋;李强 | 申请（专利权）人： | 吉林华微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人： | 陶尊新 |
| 地址： | 132013*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅片 背面 倾斜 腐蚀 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅片向背面倾斜腐蚀方法，将数片光刻后待腐蚀硅片插入承片筐内部两侧的筐齿间，之后将承片筐放入在盛满腐蚀液的腐蚀槽中，腐蚀液自下而上涌动，沿硅片表面流过，在硅片正面发生腐蚀化学反应，其特征在于，在腐蚀槽底部搁置一块规则分布通孔的散流板，散流板坡度为6~10°；承片筐放在散流板上，各硅片向背面倾斜6~10°，硅片背面倚靠筐齿，硅片正面与筐齿相离；腐蚀液的循环流量为40~50L/min。
2.根据权利要求1所述的硅片向背面倾斜腐蚀方法，其特征在于，通孔（5）孔径10~15mm，通孔（5）中心距20mm；散流板（6）材质为泰氟龙。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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