[发明专利]一种内置补偿电容的线性电压调整器

说明书

技术领域

本发明涉及电学领域，特别涉及一种内置补偿电容的线性电压调整器。

背景技术

随着半导体工艺的进步和电子市场越来越苛刻的要求，中央处理器、数字信号处理器、可编程逻辑器件等等核心元器件速度越来越快，集成度越来越高。集成线形调整期作为供电电源成为核心处理芯片发展的必然趋势。而传统的外部补偿的线形调整器，补偿电容大，无法集成，不符合系统小型化的发展趋势。

发明内容

本发明的目地是提供一种内置补偿电容的线性电压调整器，它通过运算放大器，EA误差放大器，快速响应LDO保证了系统无需外部大补偿电容也可稳定工作，提高了系统的响应速度。

为实现上述目的，本发明采用的技术方案为：

一种内置补偿电容的线性电压调整器，其特征在于，包括运算放大器，EA误差放大器和快速响应LDO。

所述运算放大器包括一个电流漏，五个P型MOS管和三个N型MOS管，一个电阻，一个电容，其连接方式为：第零P型MOS管MP0的漏极、第零P型MOS管MP0的栅极、电流源I的输入端、第四P型MOS管MP4的栅极与第一P型MOS管MP1的栅极连接；第一P型MOS管MP1的漏极、第二P型MOS管MP2的源极与第三P型MOS管MP3的源极连接；该运算放大器的同向输入端口VP与第三P型MOS管MP3的栅极连接；该运算放大器的反向输入端口VN与第二P型MOS管MP2的栅极连接；第二P型MOS管MP2的漏极、第零N型MOS管MN0的栅极、第零N型MOS管MN0的漏极与第一N型MOS管MN1的栅极连接；第三P型MOS管MP3的漏极、第一N型MOS管MN1的漏极、电容Cc的一端与第二N型MOS管MN2的栅极连接；第四P型MOS管MP4的漏极、电阻Rc的一端、第二N型MOS管MN2的漏极与运放的输出端Vout连接，电阻Rc的另一端与电容Cc的另一端连接，第零P型MOS管MP0的源极、第一P型MOS管MP1的源极、第四P型MOS管MP4的源极与电源VDD连接，第零N型MOS管MN0的源极、第一N型MOS管MN1的源极、第二N型MOS管MN2的源极、电流源I的流出端与地GND连接。

所述EA误差放大器为共源共栅单级放大器，包括七个P型MOS管和四个N型MOS管，其电路连接方式为：第一P型MOS管MP1的漏极、第二P型MOS管MP2的源极与第三P型MOS管MP3的源极连接；第二P型MOS管MP2的栅极与该误差放大器的同向输入端连接；第三P型MOS管MP3的栅极与该误差放大器的反向输入端连接；第二P型MOS管MP2的漏极、第三N型MOS管MN3的源极与第一N型MOS管MN1的漏极连接；第三P型MOS管MP3的漏极、第四N型MOS管MN4的源极与第二N型MOS管MN2的漏极连接；第四P型MOS管MP4的栅极、第五P型MOS管MP5的栅极、第六P型MOS管MP6的漏极与第三N型MOS管MN3的漏极连接；第四P型MOS管MP4的漏极与第六P型MOS管MP6的源极连接；第五P型MOS管MP5的漏极与第七P型MOS管MP7的源极连接；第七P型MOS管MP7的漏极、第四N型MOS管MN4的漏极与该误差放大器的输出端口Vout连接；第一P型MOS管MP1的栅极与偏置电压Vpb1连接；第六P型MOS管MP6的栅极、第七P型MOS管MP7的栅极与偏置电压Vpb2连接；第一N型MOS管MN1的栅极、第二N型MOS管MN2的栅极与偏置电压Vnb1连接；第三N型MOS管MN3的栅极、第四N型MOS管MN4的栅极与偏置电压Vnb2连接，第一P型MOS管MP1的源极、第四P型MOS管MP4的源极、第五P型MOS管MP5的源极与电源VDD连接，第一N型MOS管MN1的源极、第二N型MOS管MN2的源极与地GND连接。