[发明专利]聚邻苯二胺非膜材料的电化学合成方法及其在超级电容器中的应用有效
申请号: | 201210178498.1 | 申请日: | 2012-06-01 |
公开(公告)号: | CN102683041A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 王赪胤;王美蓉;胡效亚 | 申请(专利权)人: | 扬州大学 |
主分类号: | H01G9/042 | 分类号: | H01G9/042 |
代理公司: | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人: | 江平 |
地址: | 225009 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 聚邻苯二胺非膜 材料 电化学 合成 方法 及其 超级 电容器 中的 应用 | ||
1.聚邻苯二胺非膜材料的电化学合成方法,其特征在于:在三电极体系内,采用导电玻璃作为工作电极,以含0.1 mol/L邻苯二胺溶液作为电解液,并在反应体系中加入ZnSO4,在0~1 V电压范围内,50 mV/s的扫速下进行循环伏安扫描,待反应结束后离心分离,取沉淀,于60 ℃恒温烘干,得到暗红色固体,即为聚邻苯二胺非膜材料。
2.根据权利要求1所述聚邻苯二胺非膜材料的电化学合成方法,其特征在于在反应体系中加入十二烷基硫酸钠。
3.根据权利要求2所述聚邻苯二胺非膜材料的电化学合成方法,其特征在于在每20 mL邻苯二胺溶液中加入0.1 g十二烷基硫酸钠。制得形貌均一的产物聚邻苯二胺。
4.根据权利要求1或2或3所述聚邻苯二胺非膜材料的电化学合成方法,其特征在于所述三电极体系是以氧化铟锡导电玻璃作为工作电极,铂电极作为辅助电极,饱和甘汞电极或Ag和AgCl电极作为参比电极。
5.根据权利要求1或2或3所述聚邻苯二胺非膜材料的电化学合成方法,其特征在于所述ZnSO4在反应体系中的浓度为0.05 mol/L。
6.根据权利要求1或2或3所述聚邻苯二胺非膜材料的电化学合成方法,其特征在于在反应体系中加入加入KNO3或KCl,使KNO3或KCl在反应体系中的浓度为0.1 mol/L。
7.如权利要求1所述电化学合成方法制成的聚邻苯二胺非膜材料用于制作超级电容器。
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