[发明专利]一种屏闭罩模具无效

专利信息
申请号: 201210178181.8 申请日: 2012-06-01
公开(公告)号: CN102658325A 公开(公告)日: 2012-09-12
发明(设计)人: 余桂萍 申请(专利权)人: 苏州旭创精密模具有限公司
主分类号: B21D37/08 分类号: B21D37/08
代理公司: 上海硕力知识产权代理事务所 31251 代理人: 王建国
地址: 215400 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 屏闭罩 模具
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种模具,尤其涉及一种屏闭罩模具。

背景技术

屏蔽罩主要应用于手机、GPS等领域,是防止电磁干扰(EMI)、对PCB板上的元件及LCM起屏蔽作用的重要零件,因此其需求量也非常大。而模具制造技术是现代化模具工业发展的基础,具有成型快、能实现批量加工,一般的加工精度得到保证,而随着电子等行业的迅速发展,对模具加工的精度、性能要求也越来越高,即不仅有较高的尺寸精度,同样也要求在产品加工工艺简单、在冲压或折弯的过程中减少材料的浪费;现有的屏蔽罩产品在模具冲压加工过程中,采用冲压很多次才能成型,并存在定位不准确的效果,造成了屏蔽罩成品加工时间以及产品质量的提升,加大的投入的成本。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种缩短加工时间、减少投入成本、并能提升产品质量的屏闭罩模具。

为了实现上述目的,本发明提供了一种屏闭罩模具,包括上模以及与上模相对应的下模,所述上模与下模之间还包括用于屏闭罩二端进行45°折弯的第一工站,以及,用于对所述45°折弯后的屏闭罩二端进行90°折弯的第二工站。

上述的屏闭罩模具,优选的,所述第一工站包括二个平行设置的第一上冲压凸块以及与所述二个第一上冲压凸块对应的二个第一下冲压凸块,所述第一上冲压凸块与第一下冲压凸块的接触面为45°斜面。

上述的屏闭罩模具,优选的,所述第二工站包括二个平行设置的第二上冲压凸块,以及第二下冲压凸块,所述第二下冲压凸块上表面设有第一上凸块,所述二个第二上冲压凸块分别位于所述第一上凸块的二侧,所述二个第二上冲压凸块与所述第一上凸块向对应的一侧均设有第一凹槽。

上述的屏闭罩模具,优选的,所述凹槽顶端内侧为圆角过渡,所述圆角的半径为0.4mm。

上述的屏闭罩模具,优选的,所述第一下冲压凸块的下表面还设有第一定位孔。

上述的屏闭罩模具,优选的,所述第二下冲压凸块的下面表还设有第二定位孔。

本发明的技术效果在于:采用先45°折弯后90°折弯的二次成型,缩短了成型时间,以及在二个冲压凸块下端设有定位孔,这样防止在折弯成型过程中出现移位现象,保证了产品的质量,降低了加工成本。

附图说明

图1为本发明的第一工站的结构图;

图2为本发明的第二工站的结构图;

图3为本发明加工出的屏蔽罩结构图。

具体实施方式

下面,结合附图对本发明做进一步的说明。

如图1-3所示,本发明提供本发明提供了一种屏闭罩模具,包括上模以及与上模相对应的下模,所述上模与下模之间还包括用于屏闭罩二端进行45°折弯的第一工站,以及,用于对所述45°折弯后的屏闭罩二端进行90°折弯的第二工站,

见图1所示,所述第一工站包括二个平行设置的第一上冲压凸块1以及与所述二个第一上冲压凸块1对应的二个第一下冲压凸块2,所述第一上冲压凸块1与第一下冲压凸块2的接触面为45°斜面。

且为了在第一工站折弯过程中不出现屏闭罩移位现象,在所述的第一下冲压凸块2的下表面还设有第一定位孔3,在第一定位孔3内再安装第一定位销。

在加工之前使用的为一平面材料。

在第一工站加工过程中,将其放置其第一下冲压凸块2的上表面,然后通过二个第一上冲压凸块1对其二端进行折弯,由于第一上冲压凸块1与第一下冲压凸块2的接触面为45°斜面,这样,将平面屏蔽罩的二端折弯为45°角。

见图2所示,所述第二工站包括二个平行设置的第二上冲压凸块4,以及第二下冲压凸块5,所述第二下冲压凸块5上表面设有第一上凸块6,所述二个第二上冲压凸块4分别位于所述第一上凸块6的二侧,所述二个第二上冲压凸块4与所述第一上凸块6向对应的一侧均设有第一凹槽7,所述的凹槽7顶端内侧为圆角过渡,所述圆角的半径为0.4mm。

且为了在第二工站折弯过程中不出现屏闭罩移位现象,在所述第二下冲压凸块5的下面表还设有第二定位孔8。

在第二工站加工过程中,将上述经过二端折弯为45°角的屏蔽罩放置于第二下冲压凸块5的第一上凸块6上,并通过二侧的第二上冲压凸块4进行90°折弯,且凹槽7顶端内侧为0.4mm圆角过渡,从而折弯出的屏闭罩的二个折弯转角处均为圆弧过渡,减少了应力集中,而本发明通过二次折弯缩短了成型时间。

虽然本发明己以较佳实施例披露如上,但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与修改,因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

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