[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

具有主表面的半导体衬底；

MONOS型存储器单元，形成于所述主表面之上并且具有沟道；

n沟道晶体管，形成于所述主表面之上；

p沟道晶体管，形成于所述主表面之上；以及

氮化物膜，以接触所述MONOS型存储器单元、所述n沟道晶体管和所述p沟道晶体管的相应顶表面这样的方式来形成，

其中所述氮化物膜向所述MONOS型存储器单元、所述n沟道晶体管和所述p沟道晶体管的沟道施加应力。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，所述氮化物膜向所述MONOS型存储器单元、所述n沟道晶体管和所述p沟道晶体管的沟道施加压缩应力。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述氮化物膜向所述MONOS型存储器单元、所述n沟道晶体管和所述p沟道晶体管的沟道施加压缩应力，并且

其中所述氮化物膜向所述MONOS型存储器单元和所述n沟道晶体管施加的压缩应力小于由其向所述p沟道晶体管施加的压缩应力。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述氮化物膜包括向所述MONOS型存储器单元和所述n沟道晶体管的沟道施加拉伸应力的第一氮化物膜以及向所述p沟道晶体管的沟道施加压缩应力的第二氮化物膜。

5.根据权利要求1至4中的任一权利要求所述的半导体器件，

其中所述p沟道晶体管包括栅极电极，

其中所述杂质区域形成于所述p沟道晶体管的区域中，所述p沟道晶体管的所述区域是其中将形成所述沟道的区域，并且

其中所述p沟道晶体管的所述栅极电极包含n型杂质。

6.根据权利要求1至4中的任一权利要求所述的半导体器件，

其中所述MONOS型存储器单元、所述n沟道晶体管和所述p沟道晶体管各自包括栅极电极，

其中所述MONOS型存储器单元和所述n沟道晶体管各自包括以接触所述栅极电极的侧壁这样的方式依次层叠的侧壁氧化硅膜和侧壁氮化硅膜，并且

其中所述p沟道晶体管包括形成于所述栅极电极的侧壁表面之上的侧壁氧化硅膜。

7.根据权利要求1至4中的任一权利要求所述的半导体器件，

其中所述MONOS型存储器单元、所述n沟道晶体管和所述p沟道晶体管各自包括栅极电极和以接触所述栅极电极的侧壁这样的方式形成的侧壁氧化硅膜，并且

其中所述MONOS型存储器单元和所述n沟道晶体管的所述侧壁氧化硅膜具有10nm或者更少的厚度。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，

其中所述MONOS型存储器单元的所述栅极电极包括控制栅极电极和存储栅极电极，

其中所述MONOS型存储器单元包括形成于所述存储栅极电极与所述半导体衬底之间并且旨在于在所述MONOS型存储器单元中存储电荷的氮化物绝缘体层，

其中所述氮化物绝缘体层从在所述存储栅极电极与所述半导体衬底之间的区域向在所述控制栅极电极与所述存储栅极电极之间的区域延伸，并且

其中在所述控制栅极电极与所述存储栅极电极之间的所述区域中的所述氮化物绝缘体层的最上部低于所述存储栅极电极的最上表面而高于所述存储栅极电极的最下表面。

9.根据权利要求6至8中的任一权利要求所述的半导体器件，

其中杂质区域形成于其中将形成所述沟道的所述p沟道晶体管的所述区域中，并且

其中所述p沟道晶体管的所述栅极电极包含n型杂质。