[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在载体上配置晶片，所述晶片包括单独的芯片；

将所述单独的芯片结合到支撑晶片；以及

去除所述载体。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述单独的芯片通过间隔体彼此隔开。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述载体上配置所述晶片包括在所述载体上经由胶带放置所述晶片，并且其中，去除所述载体包括通过热能或光能处理所述胶带以改变所述胶带的粘附性。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，通过热能或光能处理所述胶带包括处理处于芯片接触区域的胶带，而不处理处于间隔体接触区域的胶带。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述光能是紫外光。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述单独的芯片结合到所述支撑基底包括加热所述支撑基底，然后将所述单独的芯片压到所述支撑基底上。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，加热所述支撑基底包括将所述支撑基底加热到从约180°C到约350°C之间的温度。

8.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在划片胶带上放置晶片；

将所述晶片切割成多个芯片；

将具有所述多个芯片的所述划片胶带放置在载体上；

将所述多个芯片结合到所述支撑晶片的接触垫上；以及

从所述多个芯片去除所述划片胶带和所述载体。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，每个芯片与其邻近的芯片通过间隔体隔开。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括通过在所述支撑晶片上和所述多个芯片的周围沉积成型化合物，而在所述多个芯片的周围形成包覆。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括从所述包覆去除所述支撑晶片，从而露出所述接触垫。

12.根据权利要求11所述的方法，还包括将所述接触垫镀上金属层。

13.根据权利要求10所述的方法，还包括切割所述包覆，从而形成单独的芯片封装。

14.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

将具有多个单独的芯片的划片胶带放置在载体上，每个芯片与其邻近的芯片通过间隔体隔开；

将所述多个单独的芯片结合到支撑晶片上的接触垫；

从所述多个单独的芯片而不从所述间隔体去除所述载体和所述划片胶带；

通过在所述支撑晶片上和多个所述芯片的周围沉积成型化合物，形成对多个所述芯片的包覆；

从所述包覆和多个所述芯片去除所述支撑晶片；以及

分割所述包覆以形成多个所述半导体器件。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，多个所述半导体器件中的每个半导体器件包括多个所述芯片中的一个芯片。

16.根据权利要求14所述的方法，其中，多个所述芯片中的每个芯片包括至少两个柱状突起。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，将所述多个单独的芯片结合到所述支撑晶片上的接触垫包括加热所述支撑晶片并且将所述至少两个柱状突起压到一个接触垫上。

18.根据权利要求14所述的方法，其中，从所述多个单独的芯片去除所述划片胶带包括在从所述多个单独的芯片去除所述划片胶带和所述载体之前改变所述划片胶带的粘附性。

19.根据权利要求18所述的方法，其中，施加UV处理改变所述划片胶带的粘附性。

20.根据权利要求18所述的方法，其中，改变所述划片胶带的粘附性包括施加热处理。