[发明专利]独立的二氧化钛纳米管阵列薄膜的制备方法无效

专利信息
申请号: 201210177244.8 申请日: 2012-06-01
公开(公告)号: CN102677123A 公开(公告)日: 2012-09-19
发明(设计)人: 赵乃勤;初飞;李家俊;师春生;刘恩佐;何春年 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: C25D11/26 分类号: C25D11/26
代理公司: 天津市杰盈专利代理有限公司 12207 代理人: 王小静
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 独立 氧化 纳米 阵列 薄膜 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种独立的二氧化钛纳米管阵列薄膜的制备方法,其特征在于包括以下步骤:

1)将工业纯钛片分别在去离子水,乙醇和丙酮中超声清洗,空气中干燥后,在含质量分数0.25-0.75%氟化铵、体积分数1-2%水的乙二醇电解液中,以钛片作为阳极,铂电极作为阴极,在电压40-120V条件下阳极氧化1-24h得到二氧化钛纳米管阵列薄膜,乙醇超声清洗,空气中干燥;

2)将步骤1)得到的以钛片为基底的二氧化钛纳米管阵列薄膜加入到质量分数为0.1-5%的氢氟酸溶液中,在室温下反应30秒至5分钟后,二氧化钛纳米管阵列薄膜与基底钛片分离,得到无定形的独立的二氧化钛纳米管阵列薄膜;

3)将步骤2)得到的独立的二氧化钛纳米管阵列薄膜用去离子水洗涤至中性,干燥后置于马弗炉中,在空气气氛中,以10℃/min的升温速率,升温至400-500℃保温0.5-5小时,随炉冷却至室温;最终得到独立的锐钛矿型二氧化钛纳米管阵列薄膜。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学,未经天津大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210177244.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top