[发明专利]独立的二氧化钛纳米管阵列薄膜的制备方法无效
申请号: | 201210177244.8 | 申请日: | 2012-06-01 |
公开(公告)号: | CN102677123A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 赵乃勤;初飞;李家俊;师春生;刘恩佐;何春年 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | C25D11/26 | 分类号: | C25D11/26 |
代理公司: | 天津市杰盈专利代理有限公司 12207 | 代理人: | 王小静 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 独立 氧化 纳米 阵列 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种独立的二氧化钛纳米管阵列薄膜的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
1)将工业纯钛片分别在去离子水,乙醇和丙酮中超声清洗,空气中干燥后,在含质量分数0.25-0.75%氟化铵、体积分数1-2%水的乙二醇电解液中,以钛片作为阳极,铂电极作为阴极,在电压40-120V条件下阳极氧化1-24h得到二氧化钛纳米管阵列薄膜,乙醇超声清洗,空气中干燥;
2)将步骤1)得到的以钛片为基底的二氧化钛纳米管阵列薄膜加入到质量分数为0.1-5%的氢氟酸溶液中,在室温下反应30秒至5分钟后,二氧化钛纳米管阵列薄膜与基底钛片分离,得到无定形的独立的二氧化钛纳米管阵列薄膜;
3)将步骤2)得到的独立的二氧化钛纳米管阵列薄膜用去离子水洗涤至中性,干燥后置于马弗炉中,在空气气氛中,以10℃/min的升温速率,升温至400-500℃保温0.5-5小时,随炉冷却至室温;最终得到独立的锐钛矿型二氧化钛纳米管阵列薄膜。
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