[发明专利]一种选择性发射极晶体硅太阳电池的磷浆扩散工艺

权利要求书

1.一种选择性发射极晶体硅太阳电池的磷浆扩散工艺，其特征为：步骤包括：常规酸制绒、准备阶段、进舟阶段、出浆阶段、检漏阶段、加热阶段、稳定温度阶段、预氧化阶段、沉积阶段、后氧化阶段、推进阶段、冷却阶段、进浆阶段、出舟阶段。

2.如权利要求1所述的一种选择性发射极晶体硅太阳电池的磷浆扩散工艺，其特征为：具体步骤如下：

（1）采用电阻率为1-3ohm.cm的156mm╳156mm规格的P型多晶硅片，常规酸制绒后印刷磷浆图形并烘干；

（2）准备阶段：在荷兰TEMPRESS扩散炉中通入大氮2slm；

（3）进舟阶段：把多晶硅片推入在荷兰TEMPRESS扩散炉中，炉内通入大氮5slm，持续时间8min；

（4）出浆阶段：炉内通入大氮5slm，持续时间8min；

（5）检漏阶段：炉内通入大氮2slm，持续时间1min，炉内5段温度分别为841℃、841℃、838℃、836℃、834℃；

（6）加热阶段：炉内通入大氮21slm，持续时间30min，炉内5段温度分别为841℃、841℃、838℃、836℃、834℃；

（7）稳定温度阶段：炉内通入大氮12slm，干氧300sccm，持续时间25min，炉内5段温度分别为856℃、856℃、853℃、851℃、849℃；

（8）预氧化阶段：炉内通入大氮10slm，持续时间6min，干氧1000sccm，炉内5段温度分别为856℃、856℃、853℃、851℃、849℃；

（9）沉积阶段：炉内通入大氮12slm，小氮1000sccm，干氧500sccm，持续时间6min，炉内5段温度分别为856℃、856℃、853℃、851℃、849℃；

（10）后氧化阶段：炉内通入大氮10slm，小氮30sccm，干氧300sccm，持续时间3min，炉内5段温度分别为856℃、856℃、853℃、851℃、849℃；

（11）推进阶段：炉内通入大氮10slm，小氮50sccm，干氧100sccm，持续时间6min，炉内5段温度分别为856℃、856℃、853℃、851℃、849℃；

（12）冷却阶段：炉内通入大氮9slm，持续时间30min，炉内5段温度分别为856℃、856℃、853℃、851℃、849℃；

（13）进浆阶段：炉内通入大氮10slm，持续时间5min；

（14）出舟阶段：炉内通入大氮10slm，持续时间5min，把多晶硅片从在荷兰TEMPRESS扩散炉中推出。

3.如权利要求2所述的一种选择性发射极晶体硅太阳电池的磷浆扩散工艺，其特征为：具体步骤如下：

（1）采用电阻率为2ohm.cm的156mm╳156mm规格的P型多晶硅片，常规酸制绒后印刷磷浆图形并烘干；

（2）准备阶段：在荷兰TEMPRESS扩散炉中通入大氮2slm；

（3）进舟阶段：把多晶硅片推入在荷兰TEMPRESS扩散炉中，炉内通入大氮5slm，持续时间8min；

（4）出浆阶段：炉内通入大氮5slm，持续时间8min；

（5）检漏阶段：炉内通入大氮2slm，持续时间1min，炉内5段温度分别为841℃、841℃、838℃、836℃、834℃；

（6）加热阶段：炉内通入大氮21slm，持续时间30min，炉内5段温度分别为841℃、841℃、838℃、836℃、834℃；

（7）稳定温度阶段：炉内通入大氮12slm，干氧300sccm，持续时间25min，炉内5段温度分别为856℃、856℃、853℃、851℃、849℃；

（8）预氧化阶段：炉内通入大氮10slm，持续时间6min，干氧1000sccm，炉内5段温度分别为856℃、856℃、853℃、851℃、849℃；

（9）沉积阶段：炉内通入大氮12slm，小氮1000sccm，干氧500sccm，持续时间6min，炉内5段温度分别为856℃、856℃、853℃、851℃、849℃；

（10）后氧化阶段：炉内通入大氮10slm，小氮30sccm，干氧300sccm，持续时间3min，炉内5段温度分别为856℃、856℃、853℃、851℃、849℃；

（11）推进阶段：炉内通入大氮10slm，小氮50sccm，干氧100sccm，持续时间6min，炉内5段温度分别为856℃、856℃、853℃、851℃、849℃；

（12）冷却阶段：炉内通入大氮9slm，持续时间30min，炉内5段温度分别为856℃、856℃、853℃、851℃、849℃；

（13）进浆阶段：炉内通入大氮10slm，持续时间5min；

（14）出舟阶段：炉内通入大氮10slm，持续时间5min，把多晶硅片从在荷兰TEMPRESS扩散炉中推出。