[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

基板；

形成于所述基板上方的第一氮化硅层；

直接形成于所述第一氮化硅层上并具有以下的厚度的第一氧化硅层；以及

直接形成于所述第一氧化硅层上的氢化的多晶硅层，

其中所述氢化的多晶硅层包括第三区和位于所述第三区上的第四区，并且其中与所述第四区相比，所述第三区包含较多量的氢，并且

其中包含于所述氢化的多晶硅层中的氢的浓度为1原子百分比以上。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括形成于所述基板与所述第一氮化硅层之间的第二氧化硅层。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一氮化硅层的厚度为以下。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，进一步包括形成于所述基板与所述第二氧化硅层之间并与所述基板和所述第二氧化硅层接触的第二氮化硅层，其中所述第二氧化硅层的厚度为以下。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述氢化的多晶硅层形成包括沟道区和形成于所述沟道区两侧的源区和漏区的有源层，其中所述有源层掺杂有杂质；所述半导体器件进一步包括：

栅电极，形成于所述有源层上以至少与所述沟道区部分地重叠；

层间绝缘层，形成于所述基板上以覆盖所述栅电极并具有使所述源区和所述漏区部分地暴露的接触孔；

源电极和漏电极，填充所述接触孔并形成于所述层间绝缘层上以分别连接至所述源区和所述漏区；

钝化层，形成于所述层间绝缘层上以覆盖所述源电极和所述漏电极；

第一电极，形成于所述钝化层上并连接至所述源电极和所述漏电极中的至少一个；以及

像素界定层，形成于所述钝化层上以使所述第一电极暴露。

6.一种半导体器件，包括：

基板；

形成于所述基板上方的第一缓冲层，其中所述第一缓冲层包含氢；和

有源层，形成于所述第一缓冲层上并包含多晶硅和氢，

其中包含于所述有源层中的氢的浓度为1原子百分比以上，并且

其中所述有源层包括第三区和位于所述第三区上的第四区，并且其中与所述第四区相比，所述第三区包含较多量的氢。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，进一步包括形成于所述第一缓冲层与所述有源层之间并接触所述第一缓冲层和所述有源层的第二缓冲层，其中与所述第一缓冲层和所述有源层相比，所述第二缓冲层包含较少量的氢。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述第二缓冲层的厚度为以下。

9.根据权利要求7所述的半导体器件，进一步包括形成于所述基板与所述第一缓冲层之间的第三缓冲层。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，进一步包括形成于所述第三缓冲层与所述基板之间并接触所述第三缓冲层和所述基板的第四缓冲层，其中所述第四缓冲层包含氢，并且其中与所述第一缓冲层和所述第四缓冲层相比，所述第二缓冲层和所述第三缓冲层包含较少量的氢。

11.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述第一缓冲层包括氮化硅，并且其中所述第二缓冲层包括氧化硅。

12.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述有源层包括沟道区和形成于所述沟道区的两侧并掺杂有杂质的源区和漏区，并且其中所述半导体器件进一步包括：

栅电极，形成于所述有源层上以至少与所述沟道区部分地重叠；

层间绝缘层，形成于所述基板上以覆盖所述栅电极并具有使所述源区和所述漏区部分地暴露的接触孔；

源电极和漏电极，填充所述接触孔并形成于所述层间绝缘层上以分别连接至所述源区和所述漏区；

钝化层，形成于所述层间绝缘层上以覆盖所述源电极和所述漏电极；

第一电极，形成于所述钝化层上并连接至所述源电极和所述漏电极中的至少一个；以及

像素界定层，形成于所述钝化层上以使所述第一电极暴露。