[发明专利]一种高折射率散射膜的制备方法及应用有效
申请号: | 201210175474.0 | 申请日: | 2012-05-31 |
公开(公告)号: | CN102683231A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 董艳波;张国辉;刘永祥;段炼 | 申请(专利权)人: | 昆山维信诺显示技术有限公司;北京维信诺科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 张建纲 |
地址: | 215300 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 折射率 散射 制备 方法 应用 | ||
1.一种高折射率散射膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
S1、制备研磨分散液,所述研磨分散液包括:
高折射率散射颗粒,其质量百分比为:10%-60%,初始粒径为100-800nm;
分散剂,其质量占所述高折射率散射颗粒的1%-60%;
防沉剂,其质量百分比为:0-5%;
光刻胶,其质量百分比为:0-60%;
有机溶剂,其质量百分比为:20%-89.9%;
S2、采用过滤孔孔径在0.8um-1.2um的滤纸压滤所述步骤S1制备的研磨分散液,得到制膜溶液;
S3、所述步骤S2制备的所述制膜溶液经光刻旋涂于基底上;
S4、所述步骤S3中的所述基底在60-80℃下烘烤30分钟,制备得到散射膜。
2.根据权利要求1所述的高折射率散射膜的制备方法,其特征在于:
所述高折射率散射颗粒选自TiO2、ZrO2、SiO2、SiO、TiO中的一种。
3.根据权利要求1或2所述的高折射率散射膜的制备方法,其特征在于:
所述分散剂采用钛白分散剂。
4.根据权利要求1-3任一所述的高折射率散射膜的制备方法,其特征在于:
所述防沉剂采用钛白防沉剂。
5.根据权利要求1-4任一所述的高折射率散射膜的制备方法,其特征在于:
所述步骤S2所述滤纸为0.8um。
6.根据权利要求1-5任一所述的高折射率散射膜的制备方法,其特征在于:
所述散射层的厚度为0.3um-3um。
7.一种利用权利要求1-5任一所述的高折射率散射膜的制备方法制备的高折射率散射膜。
8.一种将权利要求7所述高折射率散射膜,去除所述基底后贴于OLED器件表面的用途。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造