[发明专利]从离子液体中沉积制备超疏水性锑化铟薄膜的方法无效
申请号: | 201210175330.5 | 申请日: | 2011-01-18 |
公开(公告)号: | CN102719863A | 公开(公告)日: | 2012-10-10 |
发明(设计)人: | 李梅;路庆华 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | C25D3/56 | 分类号: | C25D3/56;C25D5/48 |
代理公司: | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人: | 王毓理 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 离子 液体 沉积 制备 疏水 性锑化铟 薄膜 方法 | ||
1.一种从离子液体中沉积制备超疏水性锑化铟薄膜的方法,其特征在于,通过将基底置于含有氯化铟和氯化锑的1-甲基-3-乙基咪唑双三氟甲基磺酰亚胺盐溶液中进行电化学沉积得到薄膜,再将薄膜浸入浓度为5~50mM的烷基磷酸的乙醇溶液得到超疏水性锑化铟薄膜。
2.根据权利要求1所述的从离子液体中沉积制备超疏水性锑化铟薄膜的方法,其特征是,所述的基底为:铂片或外部镀有铂层的玻璃片、ITO导电玻璃或铜片。
3.根据权利要求1或2所述的从离子液体中沉积制备超疏水性锑化铟薄膜的方法,其特征是,所述的基底在丙酮中超声清洗。
4.根据权利要求1所述的从离子液体中沉积制备超疏水性锑化铟薄膜的方法,其特征是,所述的含有氯化铟和氯化锑的1-甲基-3-乙基咪唑双三氟甲基磺酰亚胺盐溶液中氯化铟和氯化锑的浓度分别为10~100mM。
5.根据权利要求1所述的从离子液体中沉积制备超疏水性锑化铟薄膜的方法,其特征是,所述的电化学沉积是指:以银电极作为参比电极,铂电极作为辅助电极,在-1.20V至-1.40V之间进行电化学沉积3~24小时后取出,用丙酮和去离子水清洗基底并晾干。
6.根据权利要求1所述的从离子液体中沉积制备超疏水性锑化铟薄膜的方法,其特征是,所述的烷基磷酸为1-辛烷基磷酸、1-癸烷基磷酸或1-十四烷基磷酸。
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