[发明专利]半导体装置和包括半导体装置的驱动设备

权利要求书

1.一种半导体装置（101、200），包括：

半导体模块（60），其包括多个开关元件（81-88）、多个导体（501-512）、以及模制构件（61），所述开关元件（81-88）与电流的切换有关，每个所述开关元件（81-88）被安装在所述导体（501-512）的对应导体上，所述模制构件（61）覆盖所述开关元件（81-88）和所述导体（501-512）；以及

按压构件（68、69、210、220），被配置成向热辐射构件（50）按压所述半导体模块（60），

其中，多于三个所述开关元件（81-88）被布置在所述按压构件（68、69、210、220）周围，

其中，所述开关元件（81-88）被布置在这样的区域中：在所述区域中，通过利用所述按压构件（68、69、210、220）进行按压而在所述半导体模块（60）与所述热辐射构件（50）之间生成的压力大于或等于预定压力，在所述预定压力下从所述开关元件（81-88）生成的热能够从所述半导体模块（60）释放到所述热辐射构件（50）。

2.根据权利要求1所述的半导体装置（101、200），

其中，所述模制构件（61）具有第一表面（62）和与所述第一表面（62）相反的第二表面（63），

其中，所述半导体模块（60）还包括从所述第一表面（62）伸出并与绕组耦合的绕组端子（65）、以及从所述第二表面（63）伸出并与控制基底（40）耦合的控制端子（64）。

3.根据权利要求1所述的半导体装置（101、200），

其中，所述模制构件（61）具有与所述第一表面（62）和所述第二表面（63）等距的中线，

其中，所述按压构件（68、69、210、220）被布置在所述中线与所述第二表面（63）之间，

其中，所述开关元件（81-88）之一被布置在所述按压构件（68、69、210、220）与所述第一表面（62）之间，并且

其中，所述开关元件（81-88）中的另一个被布置在这样的区域中：从所述区域到所述第二表面（63）的距离等于所述按压构件（68、69、210、220）与所述第二表面（63）之间的距离。

4.根据权利要求3所述的半导体装置（101、200），

其中，所述开关元件（81-88）中的四个开关元件被布置在所述按压构件（68、69、210、220）周围，

其中，所述四个开关元件（81-88）中的两个开关元件被布置在所述按压构件（68、69、210、220）与所述第一表面（62）之间，并且

其中，所述四个开关元件（81-88）中的另外两个开关元件被布置在所述按压构件（68、69、210、220）的任一侧上，并且被布置在这样的区域中：从所述区域到所述第二表面（63）的距离等于所述按压构件（68、69、210、220）与所述第二表面（63）之间的距离。

5.根据权利要求3所述的半导体装置（101、200），

其中，布置在所述按压构件（68、69、210、220）与所述第一表面（62）之间的所述开关元件（81-83）是耦合到高电位侧的高电位侧开关元件，并且

其中，布置在到所述第二表面（63）的距离等于所述按压构件（68、69、210、220）与所述第二表面（63）之间的距离的区域中的所述开关元件（84-86）是耦合到所述高电位侧开关元件的低电位侧的低电位侧开关元件。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置（101），

其中，所述按压构件（68、69、210、220）包括螺钉（68、69）。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置（200），

其中，所述按压构件（68、69、210、220）包括弹簧构件（210、220）。

8.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置（101、200），还包括

中间构件（67），被布置在所述半导体模块（60）与所述热辐射构件（50）之间。

9.一种驱动设备（1），包括：

包括绕组的电机（2）；以及

控制单元（3），在所述电机（2）的轴向方向上将所述控制单元（3）布置在所述电机（2）的一侧，所述控制单元（3）包括与所述绕组电耦合的根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置（101、200）、利用所述按压构件（68、69、210、220）将所述半导体模块（60）按压向的所述热辐射构件（50）、以及与所述半导体模块（60）电耦合的基底（40、70）。