[发明专利]一种多晶硅还原炉无效

专利信息
申请号: 201210174662.1 申请日: 2012-05-31
公开(公告)号: CN102701210A 公开(公告)日: 2012-10-03
发明(设计)人: 徐予晗 申请(专利权)人: 四川瑞能硅材料有限公司
主分类号: C01B33/035 分类号: C01B33/035
代理公司: 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 代理人: 钱成岑;詹永斌
地址: 620041 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 多晶 还原
【权利要求书】:

1.一种多晶硅还原炉,包括有炉盘(1),炉筒(4),设置于炉盘上的电极对(3)、进气喷嘴(5)和尾气出口(6),其特征在于:所述炉盘(1)的中部,设置有圆筒结构的导流隔热罩Ⅰ(2);所述电极对(3)和进气喷嘴(5)均设置在导流隔热罩Ⅰ(2)外侧的炉盘(1)上;所述尾气出口(6)设置在导流隔热罩Ⅰ(2)内侧的炉盘(1)上。

2.如权利要求1所述的多晶硅还原炉,其特征在于:所述导流隔热罩Ⅰ(2)外侧的炉盘(1)上,还设置有导流隔热罩Ⅱ(7),所述导流隔热罩Ⅱ(7)是与导流隔热罩Ⅰ(2)同心的圆筒结构,所述电极对(3)和进气喷嘴(5)均设置在所述导流隔热罩Ⅰ(2)和导流隔热罩Ⅱ(7)之间的炉盘(1)上。

3.如权利要求1或2所述的多晶硅还原炉,其特征在于:所述电极对(3)在导流隔热罩Ⅰ(2)外侧排列形成两层以上的同心圆环,所述同心圆环与导流隔热罩Ⅰ(2)同心,相邻的电极对(3)排列而成的同心圆环之间,还设置有导流隔热罩Ⅲ(8),所述导流隔热罩Ⅲ(8)是与导流隔热罩Ⅰ(2)同心的圆筒结构。

4.如权利要求3所述的多晶硅还原炉,其特征在于:所述导流隔热罩Ⅰ(2)、导流隔热罩Ⅱ(7)和导流隔热罩Ⅲ(8)的高度,均低于电极对(3)上所装夹硅芯的高度。

5.如权利要求4所述的多晶硅还原炉,其特征在于:所述导流隔热罩Ⅰ(2)、导流隔热罩Ⅱ(7)和导流隔热罩Ⅲ(8),上部均设置有吊装孔(10),中部均设置有与炉筒(4)上的观察装置齐平且位于同一直线上的观察孔(9)。

6.如权利要求1或2或4或5所述的多晶硅还原炉,其特征在于:所述导流隔热罩Ⅰ(2)、导流隔热罩Ⅱ(7)和导流隔热罩Ⅲ(8),均主要由隔热导流片(11)组成,所述隔热导流片(11)两侧设置有螺孔(12),各隔热导流片之间通过连接板(13)连接,并使用螺栓固定。

7.如权利要求6所述的多晶硅还原炉,其特征在于:所述导流隔热罩Ⅰ(2)、导流隔热罩Ⅱ(7)和导流隔热罩Ⅲ(8),均采用石英或者陶瓷材料制成,所述螺栓,采用金属钼材料制成。

8.如权利要求1或2或4或5或7所述的多晶硅还原炉,其特征在于:每个所述电极对(3)所在位置的炉盘(1)上,均设置有进气喷嘴(5)。

9.如权利要求1或2或4或5或7所述的多晶硅还原炉,其特征在于:所述进气喷嘴(5)上,均连接有能够将物料分配并引流至每个电极对所在位置的引流喷管(14)。

10.如权利要求9所述的多晶硅还原炉,其特征在于:所述引流喷管(14)主要由喷嘴、弯头、管道和三通或四通顺次相连组成。

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