[发明专利]肖特基二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种肖特基二极管，其特征在于，包括：

半导体衬底；

位于半导体衬底中的多个沟槽结构，用于将半导体衬底分隔为阳极区和阴极区；

位于阳极区半导体衬底上、围绕所述阳极区的栅极结构环，所述栅极结构环沿环向的每一位置处均与所述阳极区半导体衬底有接触区域；

位于栅极结构环露出的阳极区半导体衬底上、栅极结构环上、沟槽结构露出的阴极区半导体衬底上的金属层，其中，所述栅极结构环露出的阳极区半导体衬底和栅极结构环上的金属层电连接在一起，作为阳极，沟槽结构露出的阴极区半导体衬底上的金属层电连接在一起，作为阴极。

2.如权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，包括：

所述栅极结构环包括依次位于半导体衬底上的栅极介质层、栅极层、包围所述栅极介质层和栅极层的侧墙。

3.如权利要求2所述的肖特基二极管，其特征在于，包括：所述栅极层的材料为多晶硅。

4.如权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述金属层为金属硅化物。

5.如权利要求4所述的肖特基二极管，其特征在于，所述金属层为钴的硅化物。

6.如权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述半导体衬底还形成有N阱。

7.如权利要求6所述的肖特基二极管，其特征在于，阴极区的半导体衬底和金属层之间还形成有N型掺杂层。

8.如权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述金属层上还形成有插塞结构，栅极结构环露出的阳极区半导体衬底、栅极结构环上的插塞结构电连接在一起；沟槽结构露出的阴极区半导体衬底上的插塞结构电连接在一起。

9.一种肖特基二极管的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在半导体衬底中形成多个沟槽结构，所述沟槽结构用于将半导体衬底分隔为阳极区和阴极区；

在阳极区半导体衬底上形成围绕所述阳极区的栅极结构环，使所述栅极结构环沿环向的每一位置处均与所述阳极区半导体衬底有接触区域；

在栅极结构环露出的阳极区半导体衬底上、栅极结构环上、沟槽结构露出的阴极区半导体衬底上形成金属层；

使所述栅极结构环露出的阳极区半导体衬底和栅极结构环上的金属层电连接在一起，作为阳极；使沟槽结构露出的阴极区半导体衬底上形成的金属层电连接在一起，作为阴极。

10.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，形成栅极结构环的方法包括：

在阳极区半导体衬底上依次形成栅极介质层、栅极层、包围所述栅极介质层和栅极层的侧墙。

11.如权利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述栅极层的材料为多晶硅。

12.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述金属层为金属硅化物。

13.如权利要求12所述的制造方法，其特征在于，所述金属硅化物为钴的硅化物。

14.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，在半导体衬底中形成多个沟槽结构之前，还包括在半导体衬底中形成N阱。

15.如权利要求14所述的制造方法，其特征在于，在形成金属层之前，还包括：

对沟槽结构露出的阴极区进行N型离子注入，形成N型掺杂层。

16.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，在形成金属层之后，使金属层电连接之前还包括在金属层上形成插塞结构，使金属层电连接的步骤包括：将栅极结构环露出的阳极区半导体衬底、栅极结构环上的插塞结构电连接在一起；将沟槽结构露出的阴极区半导体衬底上的插塞结构电连接在一起。