[发明专利]一种具有金字塔阵列结构的LED芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种具有金字塔阵列结构的LED芯片，其特征在于，包括具有外延层的透明衬底、所述透明衬底顶部表面为金字塔阵列结构，透明衬底的底部为外延层，外延层的底部为芯片电极的正、负极，所述金字塔阵列结构由“V”字形沟槽阵列相互交错构成。

2.根据权利要求1所述的一种具有金字塔阵列结构的LED芯片，其特征在于，所述“V”字形沟槽的两边夹角为60°-100°，“V”字形沟槽深度为50-100um，两“V”字形沟槽间距为1-1.5倍槽宽。

3.根据权利要求2所述的一种具有金字塔阵列结构的LED芯片，其特征在于，所述“V”字形沟槽阵列相互交错的夹角为60°-120°。

4.根据权利要求3所述的一种具有金字塔阵列结构的LED芯片，其特征在于，所述透明衬底的厚度大于等于150um，透明衬底的材料为蓝宝石或碳化硅。

5.权利要求1-4之一所述的一种具有金字塔阵列结构的LED芯片的制造方法，其特征在于，所述金字塔阵列结构的制造方法包括如下步骤：

（1）将待加工的LED芯片固定在基板上；

（2）将固定好的基板安装在磨床上，进行校平调整后，采用“V”字形尖端的金刚石砂轮加工“V”字形沟槽阵列；

所述“V”字形沟槽阵列的加工，具体方法为：

开动磨床，利用显微镜进行金刚石砂轮与被加工表面的对刀；

在透明衬底顶部表面磨削出第一方向的“V”字形沟槽阵列，所述第一方向为垂直于透明衬底一个侧面的方向；然后将基板旋转角度θ，重复校平调整后，磨削出第二方向的“V”字形沟槽阵列；再将基板旋转角度θ，重复校平调整后，在透明衬底顶部表面磨削出第三方向的“V”字形沟槽阵列；重复上述方法，直到“V”字形沟槽阵列均匀分布在透明衬底顶部表面；

所述加工过程中加入冷冻液；

（3）对“V”字形沟槽阵列进行清洗及烘干处理，得到金字塔阵列结构。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述金刚石砂轮的粒度为SD400或SD600，“V”字形尖端半径小于20um，“V”字形两边夹角60°-100。

7.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述清洗采用丙酮或酒精溶液。

8.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述基板旋转角度θ为60°-120°。