[发明专利]半导体装置

说明书

技术领域

本发明涉及用于例如大功率的开关等的半导体装置。

背景技术

在专利文献1中公开了具有在半导体衬底表面用铝形成的表面电极的半导体装置。在表面电极上形成有金属膜。导线焊接于金属膜。

专利文献1：日本特开2009-076703号公报。

由于表面电极和金属膜的紧贴性高，所以，若对半导体装置施加热应力，则应力集中于金属膜的端部。存在由于金属膜的端部的应力而使紧邻金属膜的端部下方的表面电极受到损伤的情况。若表面电极受到损伤，则不能够确保半导体装置的可靠性。

发明内容

本发明是为了解决上述那样的课题而提出的，其目的在于提供一种能够防止表面电极的损伤的半导体装置。

本发明提供一种半导体装置，其特征在于，具备：衬底；表面电极，在该衬底之上用包含铝的材料形成；金属膜，在该表面电极之上用能够进行焊接的材料形成；端部固定膜，该表面电极之上的部分和与该金属膜的端部重叠的重叠部分一体地形成，固定该金属膜的端部。

本发明提供另一半导体装置，其特征在于，具备：衬底；表面电极，在该衬底之上用包含铝的材料形成；保护膜，形成在该表面电极之上；金属膜，用能够进行焊接的材料一体地形成该表面电极之上的部分和上搭地形成在该保护膜的端部之上的上搭部分而成。

根据本发明，能够减少金属膜的端部的应力，所以，能够确保半导体装置的可靠性。

附图说明

图1是本发明的实施方式1的半导体装置的剖面图。

图2是本发明的实施方式2的半导体装置的剖面图。

图3是示出本发明的实施方式2的半导体装置的变形例的剖面图。

图4是本发明的实施方式3的半导体装置的平面图。

图5A是本发明的实施方式4的半导体装置的平面图。

图5B是本发明的实施方式4的半导体装置的剖面图。

具体实施方式

实施方式1

图1是本发明的实施方式1的半导体装置的剖面图。半导体装置10具备外延层12。在外延层12的表面侧形成有基极层（base layer）14。以贯通基极层14的方式形成有多晶硅栅极16。多晶硅栅极16被栅极氧化膜18覆盖。多晶硅栅极16与栅极20连接。在外延层12的背面侧形成有集电极层22。将上述的结构整体称为衬底24。

在衬底24之上用包含铝95%以上的材料形成有表面电极26。在表面电极26之上用能够进行焊接的材料形成有金属膜28。金属膜28由铝以外的多种金属形成。在表面电极26之上，还形成有以聚酰亚胺为材料的端部固定膜30。端部固定膜30是表面电极26之上的部分和与金属膜28的端部重叠的重叠部分30a一体地形成的结构。端部固定膜30是为了对金属膜28的端部进行固定而形成的。

根据本发明的实施方式1的半导体装置10，金属膜28的端部被端部固定膜30的重叠部分30a覆盖。因此，能够用重叠部分30a固定金属膜28的端部，能够减少由于热应力而在金属膜28的端部所产生的应力。若能够减少金属膜28的端部的应力，则能够防止紧邻金属膜28的端部下方的表面电极26的损伤，提高半导体装置10的可靠性。

本发明的实施方式1的半导体装置能够进行各种变形。例如，虽然端部固定膜30用聚酰亚胺形成，但是，也可以用氮化膜等形成。表面电极26用包含铝的材料形成即可，不限定于包含铝95%以上的材料。

实施方式2

图2是本发明的实施方式2的半导体装置的剖面图。对与实施方式1的半导体装置相同的部分标注相同的附图标记并省略说明。

本发明的实施方式2的半导体装置具备在表面电极26之上形成的保护膜40。保护膜40用氮化膜形成。在表面电极26之上还形成有金属膜42。金属膜42是用能够进行焊接的材料一体地形成表面电极26之上的部分和上搭地形成在保护膜40的端部之上的上搭部分42a的结构。

但是，与表面电极26和金属膜42的紧贴性相比，金属膜42和保护膜40的紧贴性低。因此，能够使由于热应力而产生的金属膜42的应力集中到金属膜42和保护膜40的接合部。具体地说，能够使金属膜42的应力在图2的箭头方向(从衬底24朝向上搭部分42a的方向)放出。因此，能够防止在紧邻金属膜42的端部下方的表面电极26的损伤，提高半导体装置的可靠性。

并且，在本发明的实施方式2的半导体装置中，用氮化膜形成保护膜40，但是，也可以用例如聚酰亚胺膜形成。