[发明专利]功放装置

说明书

技术领域

本发明涉及放大器领域，特别涉及一种功放装置。

背景技术

公开号为CN 101958690A的中国专利申请公开一种D类音频功率放大器电路，第一级放大器两个输入端连接音频信号，第一级放大器两个输出端串接输入电阻后连接至第二级放大器的两个输入端，两个反馈电阻连接第一级放大器的两对输入、输出端；第二级放大器的一个输出端串接第一比较器、第一驱动电路接至扬声器的一个输入端，第二级放大器的另一个输出端串接第二比较器、第二驱动电路接至扬声器的另一个输入端，两个反馈电容连接第二级放大器的两对输入、输出端，两个反馈电阻连接在第二级放大器的输入端和扬声器的输入端。

虽然公开号为CN 101958690A的中国专利申请公开的技术方案可以减少总谐波失真，但是对电源噪声的抑制作用非常小。

发明内容

本发明技术方案解决的是现有功放器无法有效抑制电源噪声。

本发明技术方案提供一种功放装置，包括：带隙基准电路和第一放大器；

所述带隙基准电路适于产生第一共模电压，连接所述第一放大器的共模电压输入端，提供所述第一放大器的共模电压；所述带隙基准电路还适于产生第一基准电流，连接所述第一放大器的基准电流输入端，提供所述第一放大器的基准电流。

可选择的，所述功放装置还包括第二放大器，所述带隙基准电路还连接所述第二放大器的基准电流输入端，提供所述第二放大器的基准电流。

可选择的，所述功放装置还包括：电流提供单元、第六MOS管、第七MOS管、滤波电容和共模电压产生单元；

所述电流提供单元，适于提供第二基准电流；

所述共模电压产生单元，适于产生第二共模电压;

所述第六MOS管的源极适于输入所述第二共模电压，所述第六MOS管的漏极连接所述滤波电容的第一极，所述第六MOS管的栅极连接所述第七MOS管的栅极；

所述第七MOS管的源极连接所述第六MOS管的源极，所述第七MOS管的漏极与栅极相连接，所述第七MOS管的漏极适于输入第二基准电流；

所述滤波电容的第一极连接所述第二放大器的共模电压输入端，第二极接地；

其中，所述第二基准电流使所述第六MOS管工作在亚阈值区。

可选择的，所述的功放装置还包括调节电阻，所述第七MOS管的漏极通过所述调节电阻与栅极相连接；

所述调节电阻的第一端与所述第七MOS管的漏极相连接，所述调节电阻的第二端与所述第七MOS管的栅极和所述电流提供单元相连接。

可选择的，所述功放装置还包括调节单元，所述调节单元包括：第一子MOS管和第二子MOS管；

所述第一子MOS管的源极连接所述第六MOS管的漏极，所述第一子MOS管的漏极连接所述滤波电容的第一极，所述第一子MOS管的栅极连接所述第二子MOS管的栅极；

所述第二子MOS管的源极连接所述第七MOS管的漏极，所述第二子MOS管的漏极与栅极相连接，所述第二子MOS管的漏极适于输入第二基准电流。

与现有技术相比，本发明技术方案具有以下优点：

利用带隙基准电路为第一放大器提供共模电压和基准电流，可以提高整个功放装置的电源抑制比（Power Supply Rejection Ratio，PSRR），结构简单。

将工作在亚阈值区的MOS管与滤波电容形成具有低极点的滤波电路，有效的抑制了电源噪声，提高了第二放大器的PSRR，进一步提高整个功放装置的PSRR。并且，由于工作在亚阈值区的MOS管和电容值较小的滤波电容均可以集成在芯片内，所以，节约了设计成本和设计空间，提高了系统设计的集成度。

通过调节单元或调节电阻，保证第二基准电流可以更准确的镜像到工作在亚阈值区的MOS管上，使得该MOS管稳定的工作在亚阈值区。

附图说明

图1为现有技术的D类功放器的一结构示意图；

图2为现有技术的D类功放器的局部结构示意图；

图3为现有技术的D类功放器的另一结构示意图；

图4为本发明技术方案的功放装置的实施例一的结构示意图；

图5为本发明技术方案的带隙基准电路的一结构示意图；

图6为本发明技术方案的功放装置的实施例二的一结构示意图；

图7为本发明技术方案的功放装置的实施例二的另一结构示意图；

图8为本发明技术方案的电流提供单元的一结构示意图；

图9为本发明技术方案的电流提供单元的另一结构示意图；