[发明专利]倒装LED芯片结构及其制备方法无效
| 申请号： | 201210172102.2 | 申请日： | 2012-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN102683524A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 张昊翔;金豫浙;封飞飞;万远涛;高耀辉;李东昇;江忠永 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰明芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 倒装 led 芯片 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种倒装LED芯片结构，其特征在于，包括由下至上依次堆叠的硅合金衬底、金属中间层、P型氮化镓半导体层、有源层、N型氮化镓半导体层。
2.如权利要求1所述的倒装LED芯片结构，其特征在于：所述金属中间层包括第一金属中间层和第二金属中间层。
3.如权利要求2所述的倒装LED芯片结构，其特征在于：所述第一金属中间层包括由下至上依次堆叠的：接触层、光反射层和焊料层。
4.如权利要求2所述的倒装LED芯片结构，其特征在于：所述第二金属中间层包括：焊料层。
5.如权利要求1所述的倒装LED芯片结构，其特征在于：所述N型氮化镓半导体层为所述LED芯片的出光面。
6.如权利要求1所述的倒装LED芯片结构，其特征在于：所述硅合金衬底的材料包括Si，还包括Al、Cu、Fe、Ge中的一种或其组合。
7.如权利要求1所述的倒装LED芯片结构，其特征在于：所述硅合金衬底的Si含量为50wt%至99wt%、合金材料总含量为1wt%至49wt%、杂质含量为0wt%至1wt%。
8.如权利要求1所述的倒装LED芯片结构，其特征在于：所述硅合金衬底的材质为含有1wt%至50wt%铝含量的二元铝硅合金材料。
9.一种权利要求1所述的倒装结构LED芯片制备方法，其特征在于，包括：
提供生长基板；
在所述生长基板依次生长缓冲层、N型氮化镓半导体层、有源层和P型氮化镓半导体层；
在所述P型氮化镓半导体层暴露表面生长第一金属中间层；
提供转移基板，所述转移基板的材质为硅合金材料；
在所述转移基板上生长第二金属中间层；
将所述第一金属中间层暴露表面与所述第二金属中间层的暴露表面键合；
去除所述生长基板。
10.如权利要求9所述的倒装结构LED芯片制备方法，其特征在于，所述倒装结构LED芯片制备方法还包括：
去除所述缓冲层，使所述N型氮化镓半导体层暴露，并在所述N型氮化镓半导体层的暴露表面制作第一电极；
对所述N型氮化镓半导体层除第一电极以外其他区域生长钝化保护层；
从背面减薄所述转移基板至一定厚度，在所述转移基板的背面制作第二电极。
11.如权利要求9所述的倒装结构LED芯片制备方法，其特征在于：所述第一金属中间层包括由下至上堆叠的：接触层、光反射层和焊料层。
12.如权利要求9所述的倒装结构LED芯片制备方法，其特征在于：所述第二金属中间层包括：焊料层。
13.如权利要求9所述的倒装结构LED芯片制备方法，其特征在于：所述硅合金衬底的材料包括Si，还包括Al、Cu、Fe、Ge中的一种或其组合。
14.如权利要求9所述的倒装结构LED芯片制备方法，其特征在于：所述硅合金衬底的Si含量为50wt%至99wt%、合金材料总含量为1wt%至49wt%、杂质含量为0wt%至1wt%。
15.如权利要求9所述的倒装LED芯片结构，其特征在于：所述硅合金衬底的材质为含有1wt%至50wt%铝含量的二元铝硅合金材料。
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