[发明专利]基板处理装置

权利要求书

1.一种基板处理装置，用于处理基板，其至少包括磨头、承载台及缓冲垫，所述磨头用于对所述基板进行抛光，所述承载台用于承载所述基板，所述缓冲垫设置于所述基板与承载台之间，用于在所述磨头对所述基板进行抛光时起缓冲作用；所述承载台包括承载部分和限定部分，所述承载部分用于承载所述缓冲垫及基板，所述限定部分用于限定所述缓冲垫及基板，防止所述基板及缓冲垫发生较大的位移；所述承载部分至少包括第一表面，所述限定部分至少包括第二表面，所述限定部分通过所述第二表面与所述第一表面结合与所述承载部分结合。

2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：所述第一表面至少包括第一区域和第二区域，该第一区域与所述第二区域邻接，并与所述第二区域围绕所述第一区域，该限定部分的第二表面与第一区域结合。

3.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于：所述限定部分还包括第三表面及第一侧面，所述第二表面与第三表面平行并通过所述第一侧面结合，所述限定部分凸出于所述第一表面外，并所述第三表面与第一表面之间具有第二间距；所述第一侧面位于所述限定部分上靠近所述第一区域的一侧。

4.如权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于：所述缓冲垫至少包括第四表面、第五表面及第二侧面，所述第四表面与第五表面平行，所述缓冲垫通过所述第四表面与所述第一表面的第一区域结合而置放于所述承载部分上，所述第五表面与第一表面之间具有第三间距，且所述第二间距大于所述第三间距；所述第二侧面与所述第一侧面平行，且所述第二侧面与第一侧面之间具有一第四间距。

5.如权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于：所述基板至少包括相互平行的第一基板表面和第二基板表面，所述第一基板表面和第二基板表面之间具有第五间距；所述基板通过所述第一基板表面与所述第五表面结合而置放于所述缓冲垫上，所述第三间距为第五间距的3至6倍，且所述第二间距大于所述第三间距与第五间距之和。

6.如权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于：所述磨头位于所述承载台的上方，其至少包括第一部分、第二部分及第三部分，所述第一部分和第三部分通过所述第二部分结合，所述第三部分与承载台的距离较所述第一部分与承载台的距离近。

7.如权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于：所述磨头整体呈棒状圆柱形，其与承载台具有一第一间距，所述第一部分和第三部分均呈长条状圆柱形，所述第二部分呈长条状圆锥形，所述第一部分具有第一底面半径，所述第二部分具有第二底面半径和第三底面半径，所述第三部分具有第四底面半径，所述第一底面半径等于第二底面半径，所述第三底面半径等于第四底面半径，且所述第一底面半径大于所述第四底面半径；所述基板处理装置还包括一调节单元和一旋转单元，所述磨头经所述调节单元可发生垂直位移，并调整与所述承载台之间的第一间距；所述磨头还可在所述旋转单元的带动下进行高速旋转，对所述基板进行抛光。

8.如权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于：所述基板还包括第一通孔，所述第一通孔位于所述基板的一侧，其贯穿所述第一基板表面和第二基板表面；所述第一通孔的尺寸大于所述第三部分的尺寸，且小于第一部分的尺寸，其可收容所述第三部分；所述第二部分和第三部分在垂直于所述第一表面的方向上具有第一高度和第二高度，所述第一高度和第二高度之和小于等于所述第五间距；所述基板的第一通孔被所述磨头的第二部分和第三部分抛光后，其形状呈一漏斗状，其靠近所述第二基板表面的一侧的尺寸大于其靠近所述第一基板表面一侧的尺寸。

9.如权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于：所述限定部分在所述第一表面上的投影与所述第二区域重合，所述第一表面、第二表面、第三表面、第一基板表面及第二基板表面均为光滑的平面，且所述第一区域呈矩形，第二区域呈矩形环状。

10.如权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于：所述磨头由耐磨材料制成，所述缓冲垫由弹性材料制成，其在受到外力作用时可发生形变。