[发明专利]LED芯片封装方法有效
| 申请号： | 201210170642.7 | 申请日： | 2012-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN103296153A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 傅华贵 | 申请（专利权）人： | 傅华贵 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/48;H01L33/62;H01L33/56 |
| 代理公司： | 北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙) 11400 | 代理人： | 高之波;邬玥 |
| 地址： | 214200 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | led 芯片 封装 方法 | ||
【权利要求书】：
1.LED芯片封装方法，所述LED芯片包括衬底、绝缘层、P极和N极，所述绝缘层、P极和N极均设于衬底一侧，所述绝缘层铺设于除P极和N极之外的衬底上，其特征在于，所述绝缘层的厚度在4000埃至10000埃之间，LED芯片封装方法包括以下步骤：
在电路板基板的电极的表面上加锡；
在电路板基板的上表面除电极以外的部分设置胶；
将LED芯片放置在电路板基板上，且P极和N极的凸点对应电路板基板上的电极；
对LED芯片加热和加压，使P极和N极的凸点与电路板基板的电极上的锡共晶熔接；
对LED芯片加热时，使胶固化以使LED芯片与电路板基板相连。
2.根据权利要求1所述的LED芯片封装方法，其中，所述胶为热固化胶。
3.根据权利要求2所述的LED芯片封装方法，其中，所述加热步骤中的加热温度介于200度至400度之间，加热时间介于5秒至30秒之间。
4.根据权利要求2或3所述的LED芯片封装方法，其中，所述加压步骤中的加压压力大于0.1兆帕。
5.根据权利要求4所述的LED芯片封装方法，其中，所述加压压力在0.1兆帕至0.5兆帕之间。
6.根据权利要求1所述的LED芯片封装方法，其中，所述P极和N极的高度设置在3微米以上。
7.根据权利要求6所述的LED芯片封装方法，其中，所述P极和N极的高度设置在3微米至20微米之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于傅华贵，未经傅华贵许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210170642.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
