[发明专利]一种单晶半成品印刷前异常硅片去除PN结的处理方法

权利要求书

1.一种单晶半成品印刷前异常硅片去除PN结的处理方法，包括如下步骤：

（1）将体积百分比为8%至10%的氢氟酸水溶液去除异常硅片上的氮化硅膜；

（2）使用氢氧化钠、酒精和制绒添加剂的混合水溶液去除异常硅片上的P/N结以及二次制绒。

2.根据权利要求1所述一种单晶半成品印刷前异常硅片去除PN结的处理方法，其特征在于：所述步骤（2）中，还包括：采用盐酸和氢氟酸的混合水溶液去除异常硅片表面的铁离子的步骤，其中以体积比计，盐酸为5%至10%、氢氟酸为2.5%至5%，纯水为85%至92.5%。

3.根据权利要求1所述一种单晶半成品印刷前异常硅片去除PN结的处理方法，其特征在于：所述步骤（2）中，还包括：使用重量百分比为0.7%至1.0%的氢氧化钠的水溶液对异常硅片进行粗抛处理的步骤。

4.根据权利要求1所述一种单晶半成品印刷前异常硅片去除PN结的处理方法，其特征在于：所述步骤（2）中，还包括：使用纯酒精润洗异常硅片的步骤。

5.根据权利要求1所述一种单晶半成品印刷前异常硅片去除PN结的处理方法，其特征在于：所述步骤（2）中，以重量百分比计，氢氧化钠为0.4%至0.9%，酒精为2%至5%，制绒添加剂为0.2%至0.5%，纯水为93.6%至97.4%。

6.根据权利要求1所述一种单晶半成品印刷前异常硅片去除PN结的处理方法，其特征在于：所述二次制绒的方式为双片制绒。