[发明专利]高精度带隙基准电路无效

专利信息
申请号: 201210170303.9 申请日: 2012-05-28
公开(公告)号: CN102681583A 公开(公告)日: 2012-09-19
发明(设计)人: 高静;于海明;徐江涛;姚素英;史再峰;陈思海 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 刘国威
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 高精度 基准 电路
【说明书】:

技术领域

发明涉及集成电路领域,尤其涉及高精度、低失调的带隙基准电路的设计,具体讲,涉及高精度带隙基准电路。

背景技术

图1为传统的带隙基准电路,其中虚框内部为一个放大器,由于Q2管由8个相同的管并联组成,流过每个管的电流为总的1/8,则,ΛVBE=VBE1-VBE2=VTlnIIS1-VTlnInIS2=VTlnn]]>其中n=8。因此,参考电压Vref=VBE2+2IRs=VBE1+2VTlnnRnRs.]]>VBE1具有负温度系数,VT=KTq,]]>具有正温度系数,为与温度系数无关的量,设计得出VrefT=VBE1T+2KRsqRnlnn=0]]>即得到与温度无关的基准电压Vref,Vref≈VBE1+17.2VT≈1.23V。

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