[发明专利]一种微机械传感器及其制作方法

权利要求书

1.一种微机械传感器的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤：

1）提供第一硅衬底，制作光刻图形并采用湿法各向异性硅腐蚀技术从所述第一硅衬底上表面开始刻蚀，以在所述第一硅衬底中形成间隔且横截面为倒置梯形结构的两深腔结构以及所述两深腔结构之间的横截面为正置梯形结构的硅块结构；

2）提供表面结合有敏感膜第二衬底，并将所述敏感膜与所述第一硅衬底的上表面进行键合；或提供表面结合有敏感膜且敏感膜表面结合有氧化层的第二衬底，并将所述氧化层与所述第一硅衬底的上表面进行键合；

3）减薄所述第二衬底以露出所述敏感膜；

4）于所述敏感膜上制备敏感结构及金属引线；刻蚀所述第一硅衬底的下表面直至露出所述深腔结构及硅块结构，并继续刻蚀所述硅块结构至一预设深度。

2.根据权利要求1所述的微机械传感器的制作方法，其特征在于：所述敏感膜与硅块结构通过键合的方式进行粘结。

3.根据权利要求1所述的微机械传感器的制作方法，其特征在于：所述正置梯形结构为上底位于下底上方的梯形结构，所述倒置梯形结构为上底位于下底下方的梯形结构。

4.根据权利要求1所述的微机械传感器的制作方法，其特征在于：所述正置梯形结构为正置的等腰梯形结构。

5.根据权利要求1所述的微机械传感器的制作方法，其特征在于：所述步骤4）包括以下步骤：

4-1）首先于所述敏感膜上制备敏感结构及金属引线；

4-2）然后刻蚀所述第一硅衬底的下表面直至露出所述深腔结构及硅块结构，并继续刻蚀所述硅块结构至一预设深度。

6.根据权利要求5所述的微机械传感器的制作方法，其特征在于：所述步骤4）还包括：

4-3）提供一支撑片，并将所述支撑片与所述第一硅衬底的下表面进行真空键合。

7.根据权利要求1所述的微机械传感器的制作方法，其特征在于：所述步骤4）还包括提供一支撑片，并将所述支撑片与所述第一硅衬底的下表面进行真空键合的步骤，具体地，所述步骤4）包括以下步骤：

4-1）首先刻蚀所述第一硅衬底的下表面直至露出所述深腔结构及硅块结构，并继续刻蚀所述硅块结构至一预设深度；

4-2）然后提供一支撑片，并将所述支撑片与所述第一硅衬底的下表面进行真空键合；

4-3）最后于所述敏感膜上制备敏感结构及金属引线。

8.根据权利要求1~7任意一项所述的微机械传感器的制作方法，其特征在于：所述制作方法还包括将覆盖于所述深腔结构的敏感膜刻蚀成连接所述硅块结构及第一硅衬底的微梁结构的步骤。

9.根据权利要求1~7任意一项所述的微机械传感器的制作方法，其特征在于：所述步骤3）还包括对所述敏感膜进行抛光的步骤。

10.根据权利要求1~7任意一项所述的微机械传感器的制作方法，其特征在于：所述第二衬底为硅衬底或表面带有二氧化硅层的硅衬底，所述敏感膜为硅薄膜或压电薄膜。

11.一种依据权利要求1~10任意一项所述的微机械传感器的制作方法所制作的微机械传感器。