[发明专利]多层陶瓷电子组件

说明书

本申请要求于2011年7月28日在韩国知识产权局提交的第10-2011-0075084号韩国专利申请的优先权，该申请的公开内容通过引用被包含于此。

技术领域

本发明涉及一种多层陶瓷电子组件，更具体地讲，涉及一种具有优良的可靠性的大容量多层陶瓷电子组件。

背景技术

根据近来电子产品小型化的趋势，对具有小尺寸和大电容的多层陶瓷电子组件的需求也在增加。

因此，已经通过各种方法使介电层和内电极层变薄并且介电层和内电极层日益变得多层。近来，随着介电层变薄，已经制造了具有增加数量的层叠的层的多层陶瓷电子组件。

因为为了实现更大的电容而使介电层和内电极层变薄，所以内电极层的厚度会不均匀或者不能连续地保持内电极层的厚度，因此内电极层会被局部地断开，从而导致在内电极层的连接性方面产生断开。

此外，由于内电极层断开，所以尽管介电层具有均匀的平均厚度，但是介电层被局部加厚或者局部变薄。在介电层变薄的部分中绝缘特性会被劣化，导致可靠性劣化。

同时，包含在内电极膏中的细粒陶瓷粉末在烧结工艺中泄露到介电层中，从而导致与内电极层接触的介电颗粒的不正常颗粒生长。这会导致多层陶瓷电子组件的可靠性劣化。

发明内容

本发明的一方面提供了一种具有优良的可靠性的大容量多层陶瓷电子组件。

根据本发明的一方面，提供了一种多层陶瓷电子组件，所述多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，包括平均厚度为0.6μm或更小的介电层；以及第一内电极层和第二内电极层，位于陶瓷主体内并设置为彼此面对，介电层设置在第一内电极层和第二内电极层之间，其中，介电层包括与第一内电极层或第二内电极层接触的接触介电颗粒以及不与第一内电极层或第二内电极层接触的非接触介电颗粒，并且当介电层的平均厚度被定义为t_d，并且接触介电颗粒的平均直径被定义为D_e时，满足D_e/t_d≤0.35。

当非接触介电颗粒的平均直径被定义为D_c时，可以满足D_c/t_d≤0.25。

当添加到第一内电极层和第二内电极层的陶瓷粉末颗粒的平均直径被定义为D_i，并且在介电层中使用的陶瓷粉末颗粒的平均直径被定义为D_d时，可以满足0.1<D_i/D_d<1。

添加到第一内电极层和第二内电极层的陶瓷粉末与在介电层中采用的陶瓷粉末可以具有相同的组成。

第一内电极层或第二内电极层可以具有80％或更大的连续性。

根据本发明的另一方面，提供了一种多层陶瓷电子组件，所述多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，包括平均厚度为0.6μm或更小的介电层；以及第一内电极层和第二内电极层，形成在陶瓷主体内，第一内电极层和第二内电极层均具有80％或更大的连续性，其中，介电层包括与第一内电极层或第二内电极层接触的接触介电颗粒以及不与第一内电极层或第二内电极层接触的非接触介电颗粒，并且当介电层的平均厚度被定义为t_d，并且接触介电颗粒的平均直径被定义为D_e时，满足D_e/t_d≤0.35。

根据本发明的另一方面，提供了一种多层陶瓷电子组件，所述多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，包括层叠在其中并且平均厚度为0.6μm或更小的多个介电层；以及多个第一内电极层和多个第二内电极层，形成在陶瓷主体内，其中，介电层包括与第一内电极层或第二内电极层接触的接触介电颗粒以及不与第一内电极层或第二内电极层接触的非接触介电颗粒，并且当介电层的平均厚度被定义为t_d，并且接触介电颗粒的平均直径被定义为D_e时，满足D_e/t_d≤0.35。