[发明专利]显示单元有效
申请号: | 201210168816.6 | 申请日: | 2009-05-18 |
公开(公告)号: | CN102738204A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 藤冈弘文;广升泰信 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 单元 | ||
本申请是申请号为200910141073.1、申请日为2009年5月18日、发明名称为“显示单元”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种包括有机发光器件的显示单元。
背景技术
有机发光器件具有依次设置在基板之上的第一电极、包括发光层的有机层以及第二电极。在第一电极和第二电极之间施加直流电压的情况下,在发光层中产生电子-空穴复合,并且产生光。在各器件之间,提供分隔各器件的绝缘膜。绝缘膜设置有对应于第一电极的开口。开口的边通常具有相对于基板平面的倾角(锥角)。
过去,对于绝缘膜的形状,已经提出了(1)减小倾角(例如,如日本未审查专利申请公开No.11-97182所述)以及(2)使倾角接近直角(例如,如日本专利No.3247388所述)。
发明内容
然而,在如前述(1)的情况“减少倾角”使倾角一概很小的情况下,如果采用有机发光器件的驱动电路作为电容(例如,日本未审查专利申请公开No.2007-148129所描述),则在驱动晶体管的阈值电压纠正操作中,微小的泄漏电流从第一电极通过有机层流向第二电极,由此驱动晶体管的源电位偏移。结果,存在产生亮度不均匀性的缺点。
同时,在如前述情况(2)使倾角变大以使该倾角大致为直角的情况下,存在产生第二电极的断裂和不发光的可能性。
考虑到前述情况,在本发明中,所希望的是提供能够防止第二电极的断裂和减少通过有机层的泄漏电流的显示单元。
根据本发明的实施例,提供的显示单元包括在平坦基板上的多个有机发光器件。多个有机发光器件的每一个都依次具有:第一电极;绝缘膜,具有对应于第一电极的开口;有机层,至少形成在开口中的第一电极上,并且由包括发光层的多个层组成;以及第二电极。绝缘膜在该开口的周围的一部分中具有低锥度部分(low taper section),该低锥度部分具有由开口的侧面和基板的平面形成的倾角,该倾角小于开口的周围的其它部分的倾角。
“倾角”是指位于从开口的侧面的端部到具有最大厚度的部分的区域中的每个点处的倾角中的最大角。
在根据本发明实施例的显示单元中,绝缘膜在开口的周围的一部分中具有低锥度部分,该低锥度部分具有由开口的侧面和基板的平面形成的倾角,该倾角小于开口的周围的其它部分的倾角。因此,在低锥度部分之外的部分中,倾角大并且减少了通过有机层的泄漏电流。同样,在低锥度部分中,防止了第二电极的断裂。
在根据本发明实施例的显示单元中,绝缘膜在开口的周围的一部分中具有低锥度部分,该低锥度部分具有由开口的侧面和基板的平面形成的倾角,该倾角小于开口的周围的其它部分的倾角。因此,可以防止第二电极的断裂,并且可以减少通过有机层的泄漏电流。特别是,该实施例适合于采用以有机发光器件作为电容的驱动电路的情况,并且可以抑制亮度不均匀性的产生。
通过下面的描述,本发明的其它和进一步的目的、特征和优点将变得更加明显易懂。
附图说明
图1是图解根据本发明第一实施例的显示单元构造的示意图;
图2是图解图1所示像素电路的示例的等效电路示意图;
图3是图解图1所示显示区域构造的截面图;
图4是图解图3所示有机层结构的截面图;
图5是图解图3所示第一电极、辅助配线和绝缘膜的位置关系示例的平面图;
图6A和6B是沿着图5的VI-VI线剖取的截面图及其照片;
图7A和7B是沿着图5的VII-VII线剖取的截面图及其照片;
图8是用于说明泄漏电流流过的路径的截面图;
图9是用于说明泄漏电流的大小根据绝缘膜的开口的倾角而变化的截面图;
图10是用于说明倾角的定义的截面图;
图11是图解图3所示绝缘膜和有机层的位置关系示例的平面图;
图12是沿着图11的XII-XII线剖取的截面图;
图13是沿着图11的XIII-XIII线剖取的截面图;
图14是图解偏移图11的有机层的沉积位置的情况的平面图;
图15是图解采用有机发光器件作为电容进行阈值电压纠正操作的电路图;
图16是根据本发明第二实施例的显示单元的显示区域的平面图;
图17是沿着图16的XVII-XVII线剖取的截面图;
图18是图解包括前述实施例的显示单元的模块的示意性构造的平面图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的