[发明专利]一种新型集成波导型光隔离器及其制备工艺

权利要求书

1.光隔离器用CeYIG陶瓷靶材的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)将氧化铈（CeO₂）、氧化钇（Y₂O₃）、氧化铁（Fe₂O₃）粉末称量后，按摩尔比1∶1∶2.5的比例均匀混合后放入球磨罐中混合球磨；

2)球磨后进行烘干煅烧；

3)二次球磨、并烘干煅烧；

4)研磨过筛再加粘合剂研磨造粒并放入压靶模具中压制成型并烧结。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤2)具体为烘干湿料并在900℃下预煅烧2小时。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤3)具体为二次球磨8小时并烘干湿料在1100℃下煅烧2小时。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤4)中烧结时的压力为40MP，并在1350℃进行烧结2小时。

5.集成光隔离器制备工艺，其特征在于，包括如下步骤：首先在硅（Si）基底(1)上覆盖二氧化硅（SiO₂）层(2)作为隔离器的衬底层，然后溅射生长一层CeYIG磁光薄膜(3)作为芯层并晶化处理，接着进行匀胶光刻工艺，并在光刻的凹槽内填充一定厚度的CeYIG，通过刻蚀得到磁光波导；通过匀胶、前烘、曝光、显影、坚膜、湿法刻蚀和去胶完成光隔离器薄膜制备。

6.一种集成光隔离器，其特征在于：包括硅基底、硅基底上覆盖的SiO₂层和SiO₂层上溅射生长的CeYIG磁光薄膜。