[发明专利]检测器件制造方法、检测器件和检测系统

说明书

技术领域

实施例的一个公开方面涉及一种制造应用于比如医用成像诊断装置、非破坏性检查装置和使用放射线的分析装置的检测器件的技术。实施例的一个公开方面还涉及检测器件和检测系统。 

背景技术

近来，薄膜半导体制造技术已用于包括下述像素阵列的类型的检测器件的领域中，在所述像素阵列中，开关元件（比如，TFT（薄膜晶体管））和用于将放射线或光转换为电荷的转换元件（比如，光电二极管）彼此组合。 

国际公开WO2007/01357中所公开的相关技术的检测器件包括设置在电极上的转换元件，这些电极排列在基板上，针对每个像素被隔离，并且由透明导电氧化物制成。相关技术的检测器件还包括通过形成在层间绝缘层中的接触孔与电极连接的开关元件，所述层间绝缘层设置在基板与电极之间，并且由有机材料制成。转换元件的杂质半导体层和半导体层在层间绝缘层上被部分移除，以使得转换元件针对每个像素被隔离。 

然而，在试图制造国际公开WO2007/01357中所公开的检测器件时，一种制造方法包括这样的操作，在所述操作中，当形成后来变为转换元件的杂质半导体层的杂质半导体膜时，层间绝缘层进入曝露状态。因此，在一些情况下，当形成杂质半导体膜时，层间绝缘层的表面是曝露的。因此，根据膜形成工艺的类型，层间绝缘层的有机材料可部分分散并混合到杂质半导体层中。这引起了下述问题，即，转换元件的杂质半导体层被有机污染，并且杂质半导体层中的缺陷和杂质半导体层与半导体层之间的界面处的缺陷增多，由此转换元件中的暗 电流增大。 

为了防止层间绝缘层曝露，可将由无机材料制成的绝缘层设置在层间绝缘层上方。然而，在这样的情况下，转换元件的电极（该电极由透明导电氧化物制成）设置在该绝缘层上。透明导电氧化物在以非晶态形成它之后通过多结晶化形成。透明导电氧化物中的内部应力在多结晶化期间改变。因为由无机材料制成的绝缘层比由有机材料制成的层间绝缘层硬并且具有更高的结合能，所以下述问题可发生，即，绝缘层在透明导电氧化物的多结晶化期间不能跟随内部应力的改变，并且转换元件的电极从绝缘层剥落。 

发明内容

为了解决上述问题，实施例提供一种检测器件，其可减少有机材料混合到转换元件的杂质半导体层中，并且可抑制转换元件的电极的剥落。 

根据一个实施例，提供一种制造检测器件的方法，所述检测器件包括排列在基板上的多个像素，并且还包括层间绝缘层，所述像素各自包括开关元件和转换元件，所述开关元件设置在所述基板上，所述转换元件包括设置在电极上的杂质半导体层，所述电极设置在所述开关元件之上，针对每个像素被隔离，并且由与所述开关元件接合的透明导电氧化物制成，所述层间绝缘层由有机材料制成，设置在多个开关元件与所述多个电极之间，并且覆盖所述开关元件，所述方法包括以下操作：形成所述电极和绝缘构件的操作，所述电极与所述层间绝缘层接触，所述绝缘构件均由无机材料制成，并且被设置为覆盖所述电极中的相邻两个之间的层间绝缘层；以及形成杂质半导体膜的操作，所述杂质半导体膜覆盖所述绝缘构件和所述电极，并且变为所述杂质半导体层。 

根据另一个实施例，提供一种检测器件，其包括：排列在基板上的多个像素，所述像素各自包括开关元件和转换元件，所述开关元件设置在所述基板上，所述转换元件包括设置在电极上的杂质半导体层， 所述电极设置在所述开关元件之上方，针对每个像素被隔离，并且由与所述开关元件接合的透明导电氧化物制成；层间绝缘层，所述层间绝缘层由有机材料制成，设置在所述基板与所述多个电极之间，并且覆盖所述开关元件；以及绝缘构件，所述绝缘构件均由无机材料制成，设置在所述层间绝缘层上而覆盖设置在所述层间绝缘层上且与所述层间绝缘层接触的所述电极中的相邻两个之间的层间绝缘层，所述杂质半导体层是通过在所述绝缘构件上方分离已形成在所述绝缘构件和所述电极上方的杂质半导体膜来获得的。 

通过本发明的实施例，可获得这样的检测器件，其能够减少有机材料混合到转换元件的杂质半导体层中，并且能够抑制转换元件的电极剥落。 

根据以下参照附图对示例性实施例的描述，本发明的进一步的特征将会变得清楚。 

附图说明

图1A是根据第一实施例的检测器件的每个像素的平面图。 

图1B是沿着图1A中的线A-A′截取的截面图。 

图1C是图1A中的像素之间的部分的放大图。 

图1D是沿着图1A中的线B-B′截取的截面图。 

图2A、图2C、图2E、图2G和图2I示出解释制造根据第一实施例的检测器件的方法的掩模图案。