[发明专利]一种有机半导体材料、制备方法和电致发光器件

权利要求书

1.一种有机半导体材料，其特征在于，所述有机半导体材料的化学式如下所示：

2.一种有机半导体材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供化合物D：在惰性气氛下，将化合物D溶解于有机溶剂中，降温至-78℃～-60℃，向溶有化合物D的有机溶剂中加入正丁基锂，所述化合物D与所述正丁基锂的摩尔比为1∶2.5～1∶3，搅拌1～5h后加入二苯基氯化膦，所述化合物D与所述二苯基氯化膦的摩尔比为1∶2.5～1∶3，将反应温度升至室温搅拌反应3～12h，加入水终止反应后，萃取有机层，采用硅胶层析分离提纯得到固体产物，将所述固体产物溶解到二氯甲烷或氯仿中并加入双氧水氧化12～24小时，制得有机半导体材料，所述有机半导体材料的化学式如下所示：

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述的硅胶层析分离提纯步骤采用石油醚和二氯甲烷作为淋洗液进行硅胶层析分离。

4.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法进一步包括后处理步骤，所述后处理步骤为将有机半导体材料溶解后采用饱和食盐水和蒸馏水洗涤，旋蒸溶剂后采用乙酸乙酯和甲醇作为展开剂经过硅胶柱分离纯化。

5.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述有机溶剂选自四氢呋喃、乙醚、异丙醚、乙基丁基醚或乙二醇二甲醚。

6.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述化合物D：的制备方法如下：

在无氧环境中，提供化合物B：2，7-二溴-1，8-二氮芴酮，化合物C：4，4’-二甲基三苯胺，

将摩尔比为1∶3～5的化合物B与化合物C混合并在氮气气氛下加热，加热温度为110～120℃，再滴加1～2mL催化剂三氟甲磺酸，结束反应后得到粗产物，再将粗产物纯化得到化合物D。

7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述纯化制得化合物D的步骤包括采用丙酮作溶剂将粗产物进行重结晶。

8.一种电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的具有阳极的衬底、发光层以及阴极层，所述发光层为主体材料和客体材料的混合物，其中主体材料如下所示的有机半导体材料：

客体材料为双(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合铱。

9.如权利要求8所述的电致发光器件，其特征在于，所述主体材料与所述客体材料的质量百分比为5％～15％。

10.如权利要求8所述的电致发光器件，其特征在于，所述阳极材料为氧化铟锡，阴极为金属铝。