[发明专利]一种钐钴系烧结材料的制备方法

权利要求书

1.一种钐钴系烧结材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）合金熔炼：将纯度大于99.9％的Sm，Co与合金元素Gd、Dy、Ho、Pr、Fe、Zr、Cu、Er中的一种或多种按配比混合，置于电弧炉内的水冷铜坩埚，抽真空到10^-3Pa或以上，然后通入0.1~1.2大气压的高纯氩气，工作电压30-45V，工作电流630-750A，在氩气的保护下反复熔炼3-4次以得到成分均匀的合金液体；

2）快淬：将熔炼均匀的合金液体浇铸到旋转的水冷铜辊，水冷钼辊、铜盘或钼盘上，转速为0.2-0.6m/s，制备出合金铸带；

3）磁粉制备：将合金铸带进行氢化歧化反应，随后取完成氢化歧化的合金，利用气流磨将合金粉化为平均粒径为3-5μm的磁粉；

4）取向与成型;将磁粉在2-2.5T的取向磁场，4-5Mpa压力下压制成型，然后在200-300MPa的压力下冷等静压，等静压时间为15-18min，得到钐钴毛坯；

5）烧结：将钐钴毛坯惰性气体保护下进行正压烧结，烧结压力为100-350MPa，烧结过程如下：先在1050-1180℃预烧结10-30min，随后在1200-1210℃烧结20-40min，再在1160-1190℃固溶90-200min；最后快速风冷至室温；

6）时效处理：将烧结磁体在835-865℃保温5-6h，随后以0.5-1℃/min的速度降温至420-450℃，保温4-5h，然后快速风冷至室温。 

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤2）中，所述水冷铜辊，水冷钼辊、铜盘或钼盘的转速为0.3-0.4m/s。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤3）中，所述氢化歧化工艺为：将放置有合金铸带的反应容器抽真空，到10^-3Pa或以上，然后通入氢气，温度升高至200-250℃，保持氢气压力为1.2~1.5MPa，保温10-15小时，吸氢反应完成后将温度升高至420-520℃保温2-6h，检测氢气压力，逐渐抽真空至0.01-0.1MPa，使反应生成物完全脱氢。

4.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤5）中，所述正压烧结的烧结压力为100-150MPa。

5.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤6）中，所述降温速度为1℃/min。

6.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述快速风冷的冷却速度为0.95-1.2℃/min。