[发明专利]图像传感器有效
申请号: | 201210168023.4 | 申请日: | 2012-05-28 |
公开(公告)号: | CN102695001A | 公开(公告)日: | 2012-09-26 |
发明(设计)人: | 万涛涛;王林;罗文哲 | 申请(专利权)人: | 昆山锐芯微电子有限公司 |
主分类号: | H04N5/355 | 分类号: | H04N5/355;H04N5/3745;H04N5/378 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 215300 江苏省苏州市昆山市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 | ||
1.一种图像传感器,其特征在于,包括:
光电转换单元,适于将接收到的光信号转化为存储电荷;
第一存储节点,适于在连接至所述光电转换单元时存储所述存储电荷;
第二存储节点,适于在连接至所述光电转换单元时存储所述存储电荷;
第一读出MOS管,栅极接收第一读出信号,源极连接所述光电转换单元,漏极连接所述第一存储节点,所述第一读出信号在第一光照条件、第二光照条件或第三光照条件下为开启信号;
第一开关MOS管,栅极接收第一开关信号,源极连接所述第二存储节点,漏极连接所述第一存储节点,所述第一开关信号在第二光照条件或第三光照条件下为开启信号;
开关电容单元,适于接收第二开关信号,在所述第二开关信号为开启信号时连接至所述光电转换单元,连接至所述光电转换单元时存储所述存储电荷,所述第二开关信号在第三光照条件下为开启信号。
2.如权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述开关电容单元适于在所述第二开关信号为开启信号时通过所述第一存储节点和所述第二存储节点,或者在所述第二开关信号为开启信号时通过所述第一存储节点连接至所述光电转换单元。
3.如权利要求2所述的图像传感器,其特征在于,所述开关电容单元包括:第二开关MOS管和电容;
所述第二开关MOS管,栅极接收所述第二开关信号,源极连接所述电容,漏极连接所述第一存储节点或所述第二存储节点;
所述电容,适于在通过所述第一存储节点和所述第二存储节点,或者通过所述第一存储节点连接至所述光电转换单元时存储所述存储电荷。
4.如权利要求2所述的图像传感器,其特征在于,所述开关电容单元包括MOS电容,栅极接收所述第二开关信号,源极与漏极相连接,漏极连接所述第一存储节点或所述第二存储节点。
5.如权利要求2所述的图像传感器,其特征在于,所述开关电容单元包括MOS电容,栅极连接所述第一存储节点或所述第二存储节点,源极与漏极相连接,漏极接收所述第二开关信号。
6.如权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,在第二光照条件或第三光照条件下,所述第一开关信号始终为开启信号。
7.如权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,还包括第二读出MOS管,栅极接收第二读出信号,源极连接所述光电转换单元,漏极连接所述第二存储节点,所述第二读出信号在第二光照条件或第三光照条件下为开启信号。
8.如权利要求7所述的图像传感器,其特征在于,所述开关电容单元适于在所述第二开关信号为开启信号时通过所述第一存储节点或所述第二存储节点连接至所述光电转换单元。
9.如权利要求8所述的图像传感器,其特征在于,所述开关电容单元包括第二开关MOS管和电容;
所述第二开关MOS管,栅极接收所述第二开关信号,源极连接所述电容,漏极连接所述第一存储节点或所述第二存储节点;
所述电容,适于在通过所述第一存储节点或所述第二存储节点连接至所述光电转换单元时存储所述存储电荷。
10.如权利要求3或9所述的图像传感器,其特征在于,在第三光照条件下,所述第二开关信号始终为开启信号。
11.如权利要求8所述的图像传感器,其特征在于,所述开关电容单元包括MOS电容,栅极接收所述第二开关信号,源极与漏极相连接,漏极连接所述第一存储节点或所述第二存储节点。
12.如权利要求4或11所述的图像传感器,其特征在于,所述第二开关信号为高电平时,所述第二开关信号为开启信号。
13.如权利要求8所述的图像传感器,其特征在于,所述开关电容单元包括MOS电容,栅极连接所述第一存储节点或所述第二存储节点,源极与漏极相连接,漏极接收所述第二开关信号。
14.如权利要求5或13所述的图像传感器,其特征在于,所述第二开关信号为低电平时,所述第二开关信号为开启信号。
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