[发明专利]刷新存储器器件的方法、刷新地址产生器和存储器器件

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求于2011年5月25日在韩国知识产权局（KIPO）递交的第10-2011-0049579号韩国专利申请的优先权，其内容通过引用被全部包含于此。

技术领域

本发明一般地涉及在存储器器件中执行刷新，更具体地涉及利用多个强存储单元（strong memory cell）对弱存储单元（weak memory cell）进行刷新调节（leveraging）。

背景技术

例如动态随机存取存储器（DRAM）的易失性存储器器件执行刷新操作以保持存储在存储单元（memory cell）中的数据。如果存储单元具有比刷新操作的刷新周期短的保持时间，则具有这样的存储单元的一行存储单元应利用一行冗余单元（redundancy cell）进行替换。

随着存储单元尺寸的缩小，具有比刷新周期短的保持时间的存储单元的数量有所增加。因此，在常规的易失性存储器器件中，应该增加冗余单元的行数。但是，这样大量的冗余单元增加了易失性存储器器件的尺寸和复杂性。

发明内容

因此，为了减少冗余存储单元的数量，对弱存储单元更频繁地执行刷新。

在根据本发明的一个方面的刷新存储器器件的方法中，以刷新周期产生刷新地址。当刷新地址是第二地址时，在具有第一地址的弱单元（weak cell）上、而非在具有所述第二地址的第一强单元（strong cell）上执行相应刷新。此外，当刷新地址是第三地址时，在所述第一强单元和具有所述第三地址的第二强单元其中之一上执行相应刷新。只针对第一、第二和第三地址其中之一存储地址信息。

在本发明的示范性实施例中，仅第一、第二和第三地址其中之一被存储，并且，可以从预定的位关系（bit relationship）确定第一、第二和第三地址中的剩余的两个。

在本发明的进一步的示范性实施例中，第一和第二强单元中的每一个不是每个刷新周期都被刷新，并且，当刷新地址是第一地址时，在弱单元上执行另一刷新，以使弱单元在刷新周期期间被刷新多次。

在本发明的另一示范性实施例中，把刷新地址与地址信息进行比较，以确定刷新地址是否是第二和第三地址中的任何一个。

在本发明的进一步的示范性实施例中，弱单元具有比刷新周期短的相应保持时间，并且，第一和第二强单元各自具有比刷新周期的两倍长的相应保持时间。

在本发明的另一示范性实施例中，当刷新地址是第三地址时，取决于标志，在第一和第二强单元其中之一上执行相应刷新。

在本发明的进一步的示范性实施例中，通过反转最高有效位区分第一和第二地址，并且，通过反转最低有效位区分第二和第三地址。

在本发明的另一示范性实施例中，第一、第二和第三地址分别是相应行地址。在此情况下，当刷新地址是第二地址时，在具有第一地址的弱行（weakrow）上、而非在具有第二地址的第一强行（strong row）上执行相应刷新。而且，当刷新地址是第三地址时，在第一强行和具有第三地址的第二强行其中之一上执行相应刷新。

在本发明的进一步的示范性实施例中，通过反转最高有效位区分第一和第二地址，并且，通过反转不是最高有效位的另一位来区分第二和第三地址。

在本发明的另一示范性实施例中，从地址池中选择第三地址，该地址池具有由第一和第二地址其中之一的至少两个最低有效位定义的范围。

在本发明的进一步的示范性实施例中，当刷新地址是第二地址时，取决于标志，在弱单元和第一强单元其中之一上执行相应刷新。此外，当刷新地址是第三地址时，取决于标志，在弱单元和第二强单元其中之一上执行相应刷新。

在本发明的另一示范性实施例中，当刷新地址是第二地址时，在具有第一地址的弱单元上、而非在被选择的存储器存储体（memory bank）中的第一强单元上执行相应刷新。此外，在未被选择的存储器存储体中的具有第二地址的相应单元上执行刷新。

在本发明的进一步的示范性实施例中，当刷新地址是被选择的存储器存储体中的第三地址时，在第一和第二强单元其中之一上执行刷新。此外，在未被选择的存储器存储体中具有第三地址的相应单元上执行刷新。

在本发明的另一示范性实施例中，当刷新地址是多个第二地址中的任何一个时，在弱单元上、而非在第二地址的相应单元上执行相应刷新。

在本发明的进一步的示范性实施例中，当刷新地址是多个第三地址中的任何一个时，在第二地址的相应单元和多个第三地址的相应单元其中之一上执行刷新。