[发明专利]磷酸工艺控制氧化物蚀刻率的方法

权利要求书

1.一种磷酸工艺控制氧化物蚀刻率的方法，其特征在于所述方法包括：

根据产品待蚀刻层的不同预设在进行磷酸工艺对应的多个氧化物蚀刻率下降值；

根据补酸的量的不同预设多个氧化物蚀刻率上升值；

根据各批次晶圆的所述产品待蚀刻层的不同所对应的所述氧化物蚀刻率下降值，推算一氧化物蚀刻率模拟值，当所述氧化物蚀刻率模拟值超出管制界线，则进行补酸；以及

根据所述补酸的量，推算所述氧化物蚀刻率上升值，以决定所述氧化物蚀刻率模拟值的上升程度。

2.如权利要求1所述的磷酸工艺控制氧化物蚀刻率的方法，其特征在于所述方法还包括根据所述氧化物蚀刻率模拟值，决定所述各批次晶圆在所述磷酸工艺期间所述补酸的量与时机。

3.如权利要求1所述的磷酸工艺控制氧化物蚀刻率的方法，其特征在于：推算所述氧化物蚀刻率模拟值的步骤包括：当所述氧化物蚀刻率模拟值接近所述管制界线，选择所述各批次晶圆中片数较少的进行所述磷酸工艺。

4.如权利要求1所述的磷酸工艺控制氧化物蚀刻率的方法，其特征在于：推算所述氧化物蚀刻率模拟值的步骤包括：当所述氧化物蚀刻率模拟值接近所述管制界线，选择所述氧化物蚀刻率下降值中蚀刻率下降较少的进行所述磷酸工艺。

5.如权利要求1所述的磷酸工艺控制氧化物蚀刻率的方法，其特征在于：所述补酸的量与所述氧化物蚀刻率模拟值的上升程度成正比。

6.一种磷酸工艺控制氧化物蚀刻率的方法，其特征在于所述方法包括：

根据待蚀刻层的不同预设在进行磷酸工艺对应的多个氧化物蚀刻率下降值；

根据补酸的量的不同预设多个氧化物蚀刻率上升值；

根据各批次晶圆的所述待蚀刻层的不同所对应的所述氧化物蚀刻率下降值，推算一氧化物蚀刻率模拟值，当所述氧化物蚀刻率模拟值超出管制界线，则进行补酸；以及

根据所述补酸的量，推算所述氧化物蚀刻率上升值，以决定所述氧化物蚀刻率模拟值的上升程度。

7.如权利要求6所述的磷酸工艺控制氧化物蚀刻率的方法，其特征在于：所述待蚀刻层为不同产品中蚀刻量相同的膜层。

8.如权利要求6所述的磷酸工艺控制氧化物蚀刻率的方法，其特征在于所述方法还包括根据所述氧化物蚀刻率模拟值，决定所述各批次晶圆在所述磷酸工艺期间所述补酸的量与时机。

9.如权利要求6所述的磷酸工艺控制氧化物蚀刻率的方法，其特征在于：推算所述氧化物蚀刻率模拟值的步骤包括：当所述氧化物蚀刻率模拟值接近所述管制界线，选择所述各批次晶圆中片数较少的进行所述磷酸工艺。

10.如权利要求6所述的磷酸工艺控制氧化物蚀刻率的方法，其特征在于：推算所述氧化物蚀刻率模拟值的步骤包括：当所述氧化物蚀刻率模拟值接近所述管制界线，选择所述氧化物蚀刻率下降值中蚀刻率下降较少的进行所述磷酸工艺。

11.如权利要求6所述的磷酸工艺控制氧化物蚀刻率的方法，其特征在于：所述补酸的量与所述氧化物蚀刻率模拟值的上升程度成正比。