[发明专利]一种阵列基板、其制造方法、显示面板及显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示领域，尤其涉及一种阵列基板、其制造方法、显示面板及显示装置。

背景技术

利用非晶硅（a-Si）薄膜晶体管（TFT）制作薄膜晶体管显示器的缺点是其电子迁移率非常低（<1cm²/V.S），同时a-Si在可见光范围不透明，光敏性强，因此其应用范围受到了限制。随着新技术的出现，如有机发光二极管（OLED）显示技术，透明液晶显示技术，驱动电路集成玻璃技术（Gate Driver on Array，GOA）等逐渐进入人们的视野，需要薄膜半导体材料具有更高的电子迁移率，更佳的非晶态均一性，并能够减少阀值电压（Vth）漂移等。

金属氧化物半导体薄膜晶体管（Oxide TFT，O-TFT）的金属氧化物半导体薄膜具有沉积温度低，电子迁移率高，易于刻蚀，在可见光范围内透过率高，且电子迁移率不那么取决于膜的颗粒尺寸，即具有Vth均一性高等优点。

图1为现有的金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的结构示意图，其中，图1b是阵列基板的平面图，图1a是图1b的A-A截面图。参照图1，所述阵列基板包括：基板101；形成在基板101上的栅电极102和栅线；形成在栅电极102和栅线上的栅绝缘层103；形成在栅绝缘层103上的金属氧化物有源层104；形成在有源层104上的刻蚀阻挡层（Etch Stop Layer，ESL）105、源电极106、漏电极107和数据线；源电极106、漏电极107和数据线上的钝化层108，钝化层108上形成有过孔109；形成在钝化层108上的像素电极110，像素电极110通过过孔109与漏电极107连接。

上述Oxide-TFT阵列基板的制造工艺如下：在基板101上沉积栅金属层，用掩膜版进行曝光，再经显影、刻蚀工艺制作栅电极102；在其上依次沉积栅绝缘层103和金属氧化物半导体层，用掩膜版进行曝光，再经显影、刻蚀工艺制作有源层104；在其上沉积阻挡层材料，用掩膜版进行曝光，再经显影、刻蚀工艺制作刻蚀阻挡层105；在其上沉积源漏金属层，用掩膜版进行曝光，再经显影、刻蚀工艺制作源电极106、漏电极107；在其上沉积钝化层108，用掩膜版进行曝光，再经显影、刻蚀工艺制作过孔109；在其上沉积透明电极层，用掩膜版进行曝光，再经显影、刻蚀工艺制作像素电极110。

可以看出，上述阵列基板的制造过程包括了六次构图工艺，每次构图工艺都用到一块不同的掩膜版，导致该阵列基板的制造成本较高。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种阵列基板、其制造方法、显示面板及显示装置，以降低阵列基板的制造成本。

为解决上述技术问题，本发明提供技术方案如下：

一种阵列基板，包括：

形成在形成有有源层的基板上的具有源电极接触孔和漏电极接触孔的刻蚀阻挡层；

形成在形成有刻蚀阻挡层的基板上的源电极、漏电极和数据线，源电极通过源电极接触孔与有源层连接，漏电极通过漏电极接触孔与有源层连接；

形成在形成有源电极、漏电极和数据线的基板上的具有像素电极接触孔的钝化层，所述像素电极接触孔在基板上的正投影与所述漏电极接触孔在基板上的正投影重合；

形成在形成有钝化层的基板上的像素电极，所述像素电极通过像素电极接触孔与漏电极连接。

上述的阵列基板，其中，还包括：

形成在基板上的栅电极和栅线；

形成在形成有栅电极和栅线的基板上的栅绝缘层；

形成在栅绝缘层上的有源层。

上述的阵列基板，其中：所述有源层为金属氧化物有源层。

上述的阵列基板，其中：所述像素电极接触孔在基板上的正投影位于栅电极所处的区域内。

上述的阵列基板，其中：所述刻蚀阻挡层全部覆盖所述基板。

一种阵列基板的制造方法，包括：

在形成有有源层的基板上形成刻蚀阻挡层，采用第一掩膜版进行光刻后，刻蚀出源电极接触孔和漏电极接触孔；

在形成有刻蚀阻挡层的基板上形成源电极、漏电极和数据线，源电极通过源电极接触孔与有源层连接，漏电极通过漏电极接触孔与有源层连接；

在形成有源电极、漏电极和数据线的基板上形成钝化层，采用所述第一掩膜版进行光刻后，刻蚀出像素电极接触孔；

在形成有钝化层的基板上形成像素电极，所述像素电极通过像素电极接触孔与漏电极连接。

上述的制造方法，其中，在形成刻蚀阻挡层之前还包括：

在基板上形成栅电极和栅线；