[发明专利]电极和包括其的电子器件

权利要求书

1.电极，包括：

含石墨烯的层；和

形成于所述含石墨烯的层上的具有功函数梯度的层；

其中所述具有功函数梯度的层为包括与所述含石墨烯的层接触的第一表面和与所述第一表面相反的第二表面的单层，其中所述具有功函数梯度的层的功函数在从所述具有功函数梯度的层的第一表面到所述具有功函数梯度的层的第二表面的方向上逐渐升高。

2.权利要求1的电极，其中所述石墨烯包括n个片，所述片各自由其中多个碳原子以共价键彼此结合并且在第一方向(即平行于基底的方向)上延伸的多环芳族分子形成，其中n为1或更大的整数。

3.权利要求2的电极，其中n为2或更大，并且所述n个片在垂直于所述第一方向的第二方向上堆叠。

4.权利要求2的电极，其中n为2～10的整数。

5.权利要求1的电极，其中所述含石墨烯的层进一步包含p-型掺杂剂。

6.权利要求5的电极，其中所述p-型掺杂剂包括HNO₃、AuCl₃、HCl、硝基甲烷、H₂SO₄、HAuCl₄、2,3-二氯-5,6-二氰基苯醌、酸封端的小分子、聚合物酸、或其至少两种的组合。

7.权利要求1的电极，其中所述具有功函数梯度的层的所述第一表面的功函数在4.8eV～5.3eV的范围内，和所述具有功函数梯度的层的所述第二表面的功函数在5.3eV～6.5eV的范围内。

8.权利要求1的电极，其中所述具有功函数梯度的层包括导电材料和低表面能材料。

9.权利要求8的电极，所述低表面能材料满足如下：由所述低表面能材料形成的薄膜具有30mN/m或更小的表面能和在10^-15～10^-1S/cm范围内的电导率，或者由包括所述低表面能材料的导电聚合物组合物形成的薄膜具有30mN/m或更小的表面能和在10^-7～10^-1S/cm范围内的电导率。

10.权利要求8的电极，其中所述低表面能材料的浓度在从所述第一表面到所述第二表面的方向上逐渐升高。

11.权利要求8的电极，其中所述具有功函数梯度的层的所述第一表面的功函数与所述导电材料的功函数相同，和所述具有功函数梯度的层的所述第二表面的功函数与所述低表面能材料的功函数相同。

12.权利要求8的电极，其中所述低表面能材料包括至少一个氟(F)。