[发明专利]在基底上形成纳米结构的方法及其用途

权利要求书

1.在包含硅的基底上提供纳米结构的方法，所述方法包括步骤：

(a)在所述基底的表面上沉积过渡金属层；

(b)退火所述过渡金属层以形成图形化过渡金属层；以及

(c)蚀刻所述基底以在所述基底表面上形成纳米结构。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述沉积步骤(a)包括在所述基底表面上溅射所述过渡金属层的步骤。

3.如权利要求1或2所述的方法，其中所述过渡金属选自：Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt和Au。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述过渡金属为Au。

5.如前述权利要求中任一权利要求所述的方法，其中所述过渡金属层为2nm至20nm。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述过渡金属的厚度为3nm、6nm、9nm、12nm、15nm或18nm。

7.如前述权利要求中任一权利要求所述的方法，其中在400°C-750°C的温度下进行所述退火步骤。

8.如前述权利要求中任一权利要求所述的方法，其中将所述退火步骤进行30秒至90秒。

9.如前述权利要求中任一权利要求所述的方法，其中所述图形化过渡金属层包含纳米点。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述纳米点的形状为球形、卵形或椭圆形。

11.如前述权利要求中任一权利要求所述的方法，其中所述纳米结构可为离散结构或互联结构。

12.如权利要求10所述的方法，其中所述离散结构包括圆柱形结构、柱形结构、金字塔形结构、圆锥形结构、穹顶形结构、针状结构、渐变锥形结构，或其混合物。

13.如前述权利要求中任一权利要求所述的方法，其中所述基底还包含SiO₂层。

14.图形化硅基底，所述图形化硅基底包含通过权利要求1-13中任一权利要求所述的方法制备的纳米结构。

15.权利要求14所述的图形化硅基底在沉积和生长氮化镓(GaN)层中的用途。

16.权利要求14所述的图形化硅基底在制造光伏(PV)装置中的用途。

17.权利要求14所述的图形化硅基底作为阳极的用途。

18.用于在具有图形化表面的硅基底上沉积氮化铝(AlN)层的方法，所述方法包括步骤：

(a)提供权利要求14所述的图形化硅基底；

(b)在所述图形化表面上传送三甲基铝(TMA)以在所述图形化表面上沉积Al层；

(c)以确定的V/III比和温度在所述图形化表面上传送TMA和氨(NH₃)以导致在所述图形化表面上沉积AlN；以及

(d)调整所述步骤(c)中的温度和V/III比以导致二维AlN生长。

19.如权利要求18所述的方法，其中所述调整步骤(d)包括将所述V/III比降低大于50%。

20.如权利要求19所述的方法，其中所述调整步骤(d)还包含降低所述步骤(c)的温度。

21.如权利要求18至20中任一权利要求所述的方法，其中所述步骤c的V/III比为100至1500。

22.如权利要求18至21中任一权利要求所述的方法，其中在1000°C至1100°C下进行所述步骤(c)。

23.用于在硅基底上提供InGaN/GaN多量子阱(MQW)的方法，所述方法包括步骤：

(i)提供权利要求14所述的图形化硅基底；

(ii)根据权利要求18-22中任一权利要求所述的方法在所述图形化硅基底上沉积AlN层；以及

(iii)在所述图形化硅基底上进一步沉积GaN和AlN层的交替层以达到期望的厚度。