[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括如下步骤：

(a)制备具有在其之上安装有半导体芯片的布线板；

(b)将毛细管的尖端部分放置在焊球形成单元中的焊球形成部分中；

(c)在所述焊球形成部分中创建抗氧化剂氛围并且在炬用电极与从在所述焊球形成部分中的所述毛细管的尖端部分延伸的传导接线之间产生放电，从而在所述传导接线的尖端部分处形成初始焊球；以及

(d)将所述初始焊球键合至在所述半导体芯片之上的焊盘，以将所述传导接线电耦合至所述半导体芯片；

其中，所述焊球形成单元包括所述焊球形成部分、用于将抗氧化剂气体引入到所述焊球形成部分中的气体入口部分以及用于从所述焊球形成部分排出所述抗氧化剂气体的气体出口部分，并且

其中在与将所述抗氧化剂气体引入到所述焊球形成部分中的方向不同的方向上提供所述气体出口部分。

2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中在相对于引入所述抗氧化剂气体的方向的90°±45°的范围内提供所述气体出口部分。

3.根据权利要求2所述的制造半导体器件的方法，其中在相对于引入所述抗氧化剂气体的方向的90°的位置处提供所述气体出口部分。

4.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中所述气体出口部分在所述焊球形成单元的厚度方向上穿透所述焊球形成单元。

5.根据权利要求4所述的制造半导体器件的方法，其中所述气体出口部分的宽度等于或大于所述毛细管的宽度。

6.根据权利要求5所述的制造半导体器件的方法，其中所述气体出口部分的宽度不大于所述焊球形成部分的宽度。

7.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中所述焊球形成单元在关于所述焊球形成部分BFP的、与所述气体入口部分相对的位置处装配有气体库部分。

8.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中所述传导接线是比金接线更易于氧化的金属接线。

9.根据权利要求8所述的制造半导体器件的方法，其中所述传导接线是铜接线。

10.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中所述抗氧化剂气体是惰性气体。

11.根据权利要求10所述的制造半导体器件的方法，其中所述惰性气体包括氮气气体或氩气气体。

12.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中所述抗氧化剂气体是包含惰性气体和还原气体的合成气体。

13.根据权利要求12所述的制造半导体器件的方法，其中所述合成气体包含氮气气体和氢气气体。

14.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中所述焊球形成单元具有绝缘树脂。

15.根据权利要求14所述的制造半导体器件的方法，其中所述绝缘树脂是聚酰胺酰亚胺树脂。

16.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，还包括在所述步骤(d)之后的如下步骤：

(e)将所述传导接线键合至在所述布线板之上的端子，以将所述传导接线电耦合至所述布线板；以及

(f)密封所述半导体芯片、所述传导接线以及所述布线板的一部分。

17.根据权利要求16所述的制造半导体器件的方法，其中所述布线板是布线基板，并且所述布线板之上的所述端子是焊区端子。

18.根据权利要求16所述的制造半导体器件的方法，其中所述布线板是引线框架，而在所述布线板之上的所述端子是内部引线。