[发明专利]一种双面背接触太阳能电池的制备方法

权利要求书

1.一种双面背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1) 在硅片上开孔；

(2) 清洗硅片表面，去除损伤层，在硅片的正面和背面进行制绒；

(3) 在硅片的正面和孔内设置第一掺杂剂，在硅片背面的孔的周围区域设置第一掺杂剂；所述第一掺杂剂的掺杂类型与硅片的类型相反；

(4) 在硅片背面的非孔周围区域设置第二掺杂剂；所述第二掺杂剂的掺杂类型与硅片的类型相同；

(5) 在硅片的正面和背面均生长阻挡层；

(6) 将步骤(5)得到的硅片在800~1000℃下进行退火，扩散制结；

(7) 刻蚀周边结；

(8) 清洗硅片表面并去除阻挡层；

(9) 在硅片的正面和背面设置钝化减反射膜；

(10) 在孔内设置孔金属电极；双面印刷金属电极，烧结，即可得到双面背接触太阳能电池。

2.根据权利要求1所述的双面背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中的第一掺杂剂的主掺杂成分的浓度为5~50%；步骤(4)中的第二掺杂剂的主掺杂成分的浓度为5~50%。

3.根据权利要求1所述的双面背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(5)中的阻挡层为氧化硅阻挡层，其厚度为40~200 nm。

4.根据权利要求1所述的双面背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(6)得到的硅片的发射结的浓度为10¹⁷~10¹⁹ atom.cm^-3，结深为0.2~0.5微米，方阻为50~100Ω/□；硅片的高低结的浓度为10¹⁸~10²¹ atom.cm^-3，结深为0.5~1.5微米，方阻为10~50Ω/□。

5.根据权利要求1所述的双面背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(6)中的扩散气氛为氮气，其流量为5000~30000sccm；或者为氮气和氧气的混合气，其中，氮气的流量为5000~30000sccm，氧气的流量为500~10000sccm。

6.一种双面背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1) 清洗硅片表面，去除损伤层，在硅片的正面和背面进行制绒；

(2) 在硅片的正面设置第一掺杂剂；所述第一掺杂剂的掺杂类型与硅片的类型相反；

(3) 在硅片背面的非孔周围区域设置第二掺杂剂；所述第二掺杂剂的掺杂类型与硅片的类型相同；

(4) 在硅片的正面和背面均生长阻挡层；

(5) 将步骤(4)得到的硅片在800~1000℃下进行退火，扩散制结；

(6) 刻蚀周边结；清洗硅片表面并去除阻挡层；

(7) 在硅片的正面和背面设置钝化减反射膜；

(8) 在硅片上开孔；

(9) 在孔内设置孔金属电极；双面印刷金属电极，烧结，即可得到双面背接触太阳能电池。

7.根据权利要求6所述的双面背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中的第一掺杂剂的主掺杂成分的浓度为5~50%；步骤(3)中的第二掺杂剂的主掺杂成分的浓度为5~50%。

8.根据权利要求6所述的双面背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(4)中的阻挡层为氧化硅阻挡层，其厚度为40~200 nm。

9.根据权利要求6所述的双面背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(5)得到的硅片的发射结的浓度为10¹⁷~10¹⁹ atom.cm^-3，结深为0.2~0.5微米，方阻为50~100Ω/□；硅片的高低结的浓度为10¹⁸~10²¹ atom.cm^-3，结深为0.5~1.5微米，方阻为10~50Ω/□。

10.根据权利要求6所述的双面背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(5)中的扩散气氛为氮气，其流量为5000~30000sccm；或者为氮气和氧气的混合气，其中，氮气的流量为5000~30000sccm，氧气的流量为500~10000sccm。