[发明专利]N型晶体硅双面背接触太阳电池的制备方法无效
| 申请号： | 201210166622.2 | 申请日： | 2012-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN102683493A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 杨智;王栩生;章灵军 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯（中国）投资有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 陶海锋;陆金星 |
| 地址： | 215129 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体 双面 接触 太阳电池 制备 方法 | ||
1.一种N型晶体硅双面背接触太阳电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1) 清洗硅片表面，去除损伤层，在硅片的正面和背面进行制绒；
(2) 在硅片背面进行局部磷掺杂，在硅片背面形成磷扩散层；硅片背面的非磷掺杂区域为硅片上待开孔的孔的周围区域；
(3) 在硅片的正面进行硼扩散，在硅片正面形成硼扩散层；
(4) 刻蚀周边结，去除硅片表面的杂质玻璃，清洗硅片表面；
(5) 对硅片的正面和背面或硅片的正面进行钝化；
(6) 对硅片的正面和背面设置减反射膜；
(7) 在硅片上开孔；
(8) 在孔内设置孔金属电极；双面印刷金属电极，烧结，即可得到N型晶体硅双面背接触太阳电池。
2.根据权利要求1所述的N型晶体硅双面背接触太阳电池的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中的局部磷掺杂为：在硅片背面局部印刷磷浆，烘干，然后通过激光将烘干后的磷浆驱入硅片。
3.根据权利要求2所述的N型晶体硅双面背接触太阳电池的制备方法，其特征在于：所述烘干的温度为100~400℃。
4.一种N型晶体硅双面背接触太阳电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1) 清洗硅片表面，去除损伤层，在硅片的正面和背面进行制绒；
(2) 在硅片的正面进行硼扩散，在硅片正面形成硼扩散层；
(3) 在硅片背面进行局部磷掺杂，在硅片背面形成磷扩散层；硅片背面的非磷掺杂区域为硅片上待开孔的孔的周围区域；
(4) 刻蚀周边结，去除硅片表面的杂质玻璃，清洗硅片表面；
(5) 对硅片的正面和背面或硅片的正面进行钝化；
(6) 对硅片的正面和背面设置减反射膜；
(7) 在硅片上开孔；
(8) 在孔内设置孔金属电极；双面印刷金属电极，烧结，即可得到N型晶体硅双面背接触太阳电池。
5.根据权利要求4所述的N型晶体硅双面背接触太阳电池的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中的局部磷掺杂为：在硅片背面局部印刷磷浆，烘干，然后通过激光将烘干后的磷浆驱入硅片。
6.根据权利要求5所述的N型晶体硅双面背接触太阳电池的制备方法，其特征在于：所述烘干的温度为100~400℃。
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
