[发明专利]同轴电缆结构Ag/C纳米互连线的制备方法无效
申请号: | 201210166406.8 | 申请日: | 2012-05-28 |
公开(公告)号: | CN103447546A | 公开(公告)日: | 2013-12-18 |
发明(设计)人: | 唐少春;孟祥康;施巍啸;赵伟博;李谷骏;林烈雄 | 申请(专利权)人: | 南京大学 |
主分类号: | B22F9/24 | 分类号: | B22F9/24;B22F1/02;C30B7/10;C30B29/02;C30B29/62 |
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地址: | 210093*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 同轴电缆 结构 ag 纳米 互连 制备 方法 | ||
1.一种同轴电缆结构C包覆Ag纳米互连线的制备方法,长度可达数百微米,以葡萄糖既作为还原剂又作为碳源、十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)作为金属生长的形貌控制剂;CTAB与硝酸银摩尔比为1.4∶1-21∶1之间,葡萄糖与CTAB的质量比为1.4∶1-10∶1之间;依次溶于去离子水中得到反应混合溶液;葡萄糖、CTAB和硝酸银和质量比为1-2∶0.2-0.6∶0.02-0.05;为使反应固体完全溶解,可超声10-20分钟;取混合溶液至反应釜中,在160-200℃范围内某一恒温条件下反应4-8小时;反应釜被自然冷却至室温,为除去溶液中的残留物,产物经反复离心、清洗,最后在真空或者N2保护气氛下50±10℃干燥。
2.根据权利要求书1所述的制备方法,其特征在于,以葡萄糖、CTAB和硝酸银的混合溶液为原料,制备方法为一步水热法,采用CTAB为形貌控制剂,得到所需的同轴电缆结构Ag/C纳米线;同轴电缆结构Ag/C纳米线是由平均尺寸为30±5nm的银纳米线(内核)和碳纳米包覆层所构成。
3.根据权利要求书1所述的制备方法,其特征在于,采用0.07M葡萄糖,且CTAB为7-9mM时,内核银纳米线的截面为圆形,当CTAB的浓度为13-15mM时,内核银纳米线的截面为正五边形。
4.根据权利要求书1或2所述的制备方法,其特征在于,反应液在反应釜中的体积填充率为80vol%。
5.根据权利要求书1或2所述的制备方法,其特征在于,产物经反复离心、清洗,最后在真空或者N2保护气氛下50℃烘箱中烘干,干燥时间6小时以上。
6.根据权利要求书1或2所述的制备同轴电缆结构Ag/C纳米互连线的方法,使用0.07M的葡萄糖时、硝酸银的最佳浓度范围为1-5mM;当浓度大于5mM时,产物为银纳米粒子/碳球。
7.根据权利要求书1所述的制备方法,所制得的同轴电缆结构纳米互连线是由平均尺寸为30±5nm的Ag纳米线(核)和表面包覆碳层(壳)所构成,长度可达数百微米,且内核Ag线的横截面形貌、尺寸以及外壳碳层的厚度均可调控,其中碳包覆层的厚度在10-120nm范围内可控。
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