[发明专利]一种氧化物颗粒镶嵌的碳化硅涂层及其制备方法无效
申请号: | 201210166189.2 | 申请日: | 2012-05-26 |
公开(公告)号: | CN102746028A | 公开(公告)日: | 2012-10-24 |
发明(设计)人: | 李斌斌;陈照峰;陈清 | 申请(专利权)人: | 苏州宏久航空防热材料科技有限公司 |
主分类号: | C04B41/85 | 分类号: | C04B41/85 |
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地址: | 215400 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氧化物 颗粒 镶嵌 碳化硅 涂层 及其 制备 方法 | ||
1.一种氧化物颗粒镶嵌的碳化硅涂层,其特征在于氧化物颗粒弥散分布在碳化硅中,并与碳化硅牢固结合。
2.依据权利要求书1所示的涂层,其特征在于氧化物可以是氧化铝,氧化锆,氧化硅,莫来石,或者多种氧化物的混合物。
3.依据权利要求书1所示的涂层,其特征在于氧化物颗粒的尺寸为10~100微米。
4.依据权利要求书1所示的涂层,其特征在于基体可以是石墨材料,C/C复合材料,碳纤维,碳纤维编织件。
5.一种氧化物颗粒镶嵌的碳化硅涂层的制备方法,其特征在于包含以下步骤:
(1)以碳基材料为基体,表面用粗砂纸进行打磨处理;
(2)配置氧化物浆料:称取一定粒度和重量的氧化物粉末,以乙醇为介质,聚乙烯醇为分散剂,用磁力搅拌器搅拌4h,浆料浓度为30~50%;
(3)将上述浆料均匀涂在碳基材料的打磨面上,放入80oC烘箱烘干2h,然后重复涂抹和烘干3~5次;
(4)将上述材料放入沉积室中,使涂抹的氧化物层正面朝上水平放置,沉积室抽真空至0.1Pa以下,升温到反应温度900~1000oC,以三氯甲基硅烷为反应源,氢气为载气,氩气为稀释气体,氢气流量为5~20 sccm,氩气流量为100~200 sccm,沉积室内压力为3~5kPa,沉积时间为10~24h;
(5)取出后,制得氧化物颗粒镶嵌的碳化硅涂层。
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