[发明专利]一种ZnO基透明导电薄膜湿法刻蚀方法有效
| 申请号： | 201210165938.X | 申请日： | 2012-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN102709156A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 裴艳丽;吴锦壁;江灏;范冰丰;王钢 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L33/42;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 林名钦 |
| 地址： | 510275 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 zno 透明 导电 薄膜 湿法 刻蚀 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种ZnO基透明导电薄膜的湿法刻蚀方法，其特征在于包括如下步骤：沉积了ZnO基透明导电薄膜的衬底涂布光刻胶；进行曝光、显影，去除部分光刻胶，使得待刻蚀衬底暴露在外；对其进行烘烤；通过弱酸和去离子水配比形成弱酸溶液；上述待刻蚀衬底放入弱酸溶液，刻蚀时间范围1秒到10000秒；去离子水冲洗；有机溶液去除光刻胶；测量刻蚀深度和刻蚀图形形貌。
2.如权利要求1所述的湿法刻蚀方法，其特征在于，所述ZnO基透明导电薄膜为ZnO：Al、ZnO：Ga或ZnO：In。
3.如权利要求1所述的湿法刻蚀方法，其特征在于，所述ZnO基透明导电薄膜结构为单层结构或叠层结构。
4.如权利要求1所述的湿法刻蚀方法，其特征在于，所述弱酸为醋酸、碳酸、氢硫酸、硼酸或氯化物弱酸盐。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
