[发明专利]晶体管的形成方法

权利要求书

1.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底表面形成复合层，所述复合层包括：位于所述半导体衬底表面的单层或若干层重叠的牺牲层、以及位于各层牺牲层表面的半导体层，当所述牺牲层的材料为掺杂碳的硅锗、掺杂硼的硅锗或掺杂碳和硼的硅锗时，所述半导体层的材料为硅或锗，或当所述半导体层的材料为掺杂碳的硅锗、掺杂硼的硅锗或掺杂碳和硼的硅锗时，所述牺牲层的材料为硅或锗；

在所述复合层两侧的半导体衬底表面形成支撑部，所述支撑部的顶部不低于位于顶层的半导体层的顶部表面；

在形成所述支撑部后，刻蚀去除所述牺牲层；

在去除牺牲层后，在所述半导体层表面形成栅介质层；

在所述栅介质层表面形成栅电极层；

在所述支撑部内进行离子注入形成源/漏区。

2.如权利要求1所述晶体管的形成方法，其特征在于，所述掺杂碳的硅锗中，碳的原子百分比浓度为0.5%~10％，锗的原子百分比浓度为20%~80%。

3.如权利要求1所述晶体管的形成方法，其特征在于，所述掺杂硼的硅锗中，硼的原子百分比浓度为0.5%~10%，锗的原子百分比浓度为20%~80%。

4.如权利要求1所述晶体管的形成方法，其特征在于，所述掺杂碳和硼的硅锗中，碳的原子百分比浓度为0.5%~10%，硼的原子百分比浓度为0.1%~10％，锗的原子百分比浓度为20%~80%。

5.如权利要求1所述晶体管的形成方法，其特征在于，所述半导体层的厚度为10~50纳米，所述牺牲层的厚度为10~50纳米。

6.如权利要求1所述晶体管的形成方法，其特征在于，所述刻蚀去除所述牺牲层的工艺为各向同性的湿法刻蚀或各向同性的干法刻蚀。

7.如权利要求1所述晶体管的形成方法，其特征在于，所述支撑部的材料与半导体层的材料相同。

8.如权利要求1所述晶体管的形成方法，其特征在于，所述复合层的形成方法为：在所述半导体衬底表面外延沉积形成若干层重叠的牺牲层、以及位于各层牺牲层表面的半导体层；在所述复合层形成硬掩膜层，且所述硬掩膜层定义出所需形成沟道区的对应位置；以所述硬掩膜层为掩膜刻蚀所述层牺牲层和半导体层。

9.如权利要求1所述晶体管的形成方法，其特征在于，所述支撑部的形成方法为：在所述半导体衬底和所述复合层侧壁的表面选择性外延沉积形成支撑层；在所述支撑层和复合层表面形成光刻胶层；图形化所述光刻胶层，暴露出需要形成支撑部和沟道区的位置以外的支撑层表面；以图形化后的光刻胶层为掩膜，刻蚀所述支撑层，形成支撑部。

10.如权利要求1所述晶体管的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的数量至少为2，所述半导体层的数量至少为2。

11.如权利要求10所述晶体管的形成方法，其特征在于，在去除牺牲层后，对所述半导体层进行热退火，使所述半导体层形成若干层的纳米线。

12.如权利要求11所述晶体管的形成方法，其特征在于，在所述纳米线表面包裹栅介质层，在所述栅介质层表面包裹栅电极层。

13.如权利要求12所述晶体管的形成方法，其特征在于，在相邻纳米线的栅电极层之间、以及纳米线的栅电极层和半导体衬底之间填充满绝缘材料。

14.如权利要求10所述晶体管的形成方法，其特征在于，所述复合层的顶层为牺牲层。

15.如权利要求1所述晶体管的形成方法，其特征在于，所述牺牲层和半导体层为单层时，在去除所述牺牲层后，在所述半导体层和半导体衬底之间填充满绝缘材料。

16.如权利要求1所述晶体管的形成方法，其特征在于，所述牺牲层和半导体层为单层时，在去除所述牺牲层后，在所述半导体层表面形成栅介质层；在所述栅介质层表面形成栅电极层；在紧邻所述栅介质层和栅电极层两侧的半导体层表面形成侧墙。