[发明专利]硅电容器内部多层电极连接结构及连接方法有效
| 申请号： | 201210165420.6 | 申请日： | 2012-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN102683318A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 陈杰;唐剑平;雷鸣;陈立军 | 申请（专利权）人： | 无锡纳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214072 江苏省无锡市滨湖区蠡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电容器 内部 多层 电极 连接 结构 方法 | ||
1.一种硅电容器内部多层电极连接结构，包括衬底（1）；其特征是：所述衬底（1）的表面上形成第一内部电极层，所述第一内部电极层的上方设有若干交替分布的奇数电极层（4）与偶数电极层（5），且奇数电极层（4）与偶数电极层（5）在衬底（1）上方匹配对应；奇数电极层（4）与偶数电极层（5）间设置有介质层（3），且第一内部电极层与邻近的奇数电极层（4）间通过介质层（3）相连；所述衬底（1）上方设有互连电极，所述互连电极包括第一金属外电极（12）及第二金属外电极（14），所述第一金属外电极（12）与奇数电极层（4）及第一内部电极层等电位连接，第二金属外电极（14）与偶数电极层（5）等电位连接，第一金属外电极（12）与第二金属外电极（14）绝缘隔离。
2.根据权利要求1所述的硅电容器内部多层电极连接结构，其特征是：所述衬底（1）上方最外层的偶数电极层（5）上覆盖有绝缘介质层（6）；衬底（1）的上方设有奇数层连接孔（7）及偶数层连接孔（8），奇数层连接孔（7）内填充有奇数层连接线（10），且奇数层连接线（10）覆盖于绝缘介质层（6）上；偶数层连接孔（8）内填充有偶数层连接线（13），且偶数层连接线（13）覆盖于绝缘介质层（6）上；第一金属外电极（12）与奇数层连接线（10）欧姆接触，以通过奇数层连接线（10）与第一内部电极层及奇数电极层（4）等电位连接；第二金属外电极（14）与偶数层连接线（13）欧姆接触，以通过偶数层连接线（13）与偶数电极层（5）等电位连接；第一金属外电极（12）、奇数层连接线（10）通过绝缘隔离层（11）与第二金属外电极（14）、偶数层连接线（13）绝缘隔离。
3.根据权利要求1所述的硅电容器内部多层电极连接结构，其特征是：所述衬底（1）采用P型导电类型的硅，通过在P型衬底（1）表面掺杂N型杂质形成第一内部电极层。
4.根据权利要求1所述的硅电容器内部多层电极连接结构，其特征是：所述衬底（1）内设有若干凹槽（2），第一内部电极层、介质层（3）及奇数电极层（4）与偶数电极层（5）依次覆盖于凹槽（2）内。
5.根据权利要求1所述的硅电容器内部多层电极连接结构，其特征是：所述奇数电极层（4）与偶数电极层（5）均为导电多晶硅。
6.根据权利要求1或2或5所述的硅电容器内部多层电极连接结构，其特征是：所述奇数电极层（4）、偶数电极层（5）的厚度为500nm~800nm。
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