[发明专利]太阳能电池及其制作方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：一半导体基板以及一第一抗反射层；

该半导体基板，具有相对的一第一型半导体表面与一第二型半导体表面；以及

该第一抗反射层，包括：

多个折射凸块，设置于该第二型半导体表面，其中各该折射凸块具有一第一折射部与一第二折射部，该第二折射部共形地覆盖该第一折射部，且该第一折射部的折射率大于该第二折射部的折射率；以及

一覆盖层，覆盖该第二型半导体表面及这些折射凸块，且该覆盖层的折射率小于这些第二折射部的折射率。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，其中该第一型半导体表面为一N型半导体表面，而该第二型半导体表面为一P型半导体表面。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，其中该第一型半导体表面为一P型半导体表面，而该第二型半导体表面为一N型半导体表面。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，其中这些第一折射部的折射率介于2.6~2.8之间，这些第二折射部的折射率介于1.8~2.2之间，该覆盖层的折射率为1.45。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，其中这些第一折射部的材质为碳化硅，这些第二折射部的材质为氮化硅，而该覆盖层的材质为二氧化硅。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，其中这些折射凸块为弧状凸块。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，还包括一第一电极，其中该第一电极的一端连接于该第二型半导体表面，而该第一电极的另一端突出于该第一抗反射层。

8.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，还包括：

一第二抗反射层，设置于该半导体基板的该第一型半导体表面；以及

一第二电极，该第二电极的一端连接于该第一型半导体表面，而该第二电极的另一端突出于该第二抗反射层。

9.一种太阳能电池制作方法，其特征在于，包括下列步骤：

提供一半导体基板，该半导体基板具有相对的一第一型半导体表面与一第二型半导体表面；以及

在该第二型半导体表面上形成一第一抗反射层，其中该第一抗反射层包括多个折射凸块以及一覆盖层，各该折射凸块具有一第一折射部与一第二折射部，该第二折射部共形地覆盖该第一折射部，且该第一折射部的折射率大于该第二折射部的折射率，而该覆盖层覆盖这些折射凸块，且该覆盖层的折射率小于这些第二折射部的折射率。

10.根据权利要求9所述的太阳能电池制作方法，其特征在于，其中该第二型半导体表面的形成方法包括在半导体基板的一第一表面掺入一第二型掺质，而该第一型半导体表面的形成方法包括在半导体基板的一第二表面掺入一第一型掺质。

11.根据权利要求10所述的太阳能电池制作方法，其特征在于，其中在该第一表面掺入该第二型掺质以及在该第二表面掺入该第一型掺质的方法包括离子扩散法。

12.根据权利要求9所述的太阳能电池制作方法，其特征在于，其中在该第二型半导体表面上形成该第一抗反射层的方法包括下列步骤：

进行一第一沉积制程，而在该第二型半导体表面上形成这些第一折射部；

进行一第二沉积制程，而在这些第一折射部上形成这些第二折射部；以及

进行一第三沉积制程，而在该第二型半导体表面上形成一覆盖层以覆盖这些折射凸块。

13.根据权利要求11所述的太阳能电池制作方法，其特征在于，还包括下列步骤：

在该第一型半导体表面上形成一第二抗反射层；以及

在该第一抗反射层上形成一第一电极图案以及在该第二抗反射层上形成一第二电极图案；以及

进行一烧结制程，使得该第一电极图案穿过该第一抗反射层而接触于该第二型半导体表面，以形成一第一电极，以及使得该第二电极图案穿过该第二抗反射层而接触于该第一型半导体表面，以形成一第二电极。

14.根据权利要求9所述的太阳能电池制作方法，其特征在于，其中这些第一折射部的折射率介于2.6~2.8之间，这些第二折射部的折射率介于1.8~2.2之间，该覆盖层的折射率为1.45。

15.根据权利要求9所述的太阳能电池制作方法，其特征在于，其中这些第一折射部的材质为碳化硅，这些第二折射部的材质为氮化硅，而该覆盖层的材质为二氧化硅。