[发明专利]一种电容触控屏及其制造工艺

权利要求书

1.一种电容触控屏，包括基板，布置于基板上的ITO图层，覆盖于ITO图层外的绝缘架桥层，以及覆盖于绝缘架桥层上方的跳跃导体图层，其特征在于，所述的跳跃导体图层上方覆盖有用于遮挡金属跳跃导体图层眩光的黑膜图层。

2.根据权利要求1所述的电容触控屏，其特征在于：所述的ITO图层、绝缘架桥层、跳跃导体图层和黑膜图层的图案结构相同并相互重叠。

3.根据权利要求1或2所述的电容触控屏，其特征在于：所述的黑膜图层上覆盖树脂保护层，所述的基板背面依次设有防静电ITO层和二氧化硅保护层。

4.一种如权利要求1-3所述的电容触控屏的触控部制造工艺，包括：

a、采用真空磁控溅射方法镀制ITO膜；

b、制作ITO图层，包括进行曝光、蚀刻；

c、在ITO图形上制作一层绝缘架桥层；

d、利用真空磁控溅射镀膜机在制作好的绝缘架桥层外镀一层导电材料；

其特征在于：在所述的一层导电材料上涂布一层黑膜，然后采用采用触控屏的触控部黄光光刻技术，依次进行涂布，烘烤，曝光、显影，蚀刻工艺将这层导电材料和黑膜一起制作成所需图形。

5.根据权利要求4所述的电容触控屏的触控部制造工艺，其特征在于：所述的导电材料和黑膜进行曝光时，所使用的掩膜板上设计图形的尺寸比例的大于产品实际标准值6-7um，且曝光机能量调节至250-300mj/ cm²。

6.根据权利要求4或5所述的电容触控屏的触控部制造工艺，其特征在于：所述的导电材料和黑膜进行蚀刻前后需要进行硬烤工序。

7.根据权利要求6所述的电容触控屏的触控部制造工艺，其特征在于：蚀刻前硬烤温度220-240℃持续时间8-10min；蚀刻后硬烤温度220-240℃持续时间30-35min。