[发明专利]膜体声波谐振器、滤波器、双工器和模块

权利要求书

1.一种膜体声波谐振器，所述膜体声波谐振器包括：

基板；

设置在所述基板上的下部电极；

设置在所述下部电极上的压电隔膜；以及

设置在所述压电隔膜上的上部电极，

其中：

所述下部电极和所述上部电极中的至少一个具有位于谐振区域的边缘处的具有比所述谐振区域的中央部分的厚度更厚的厚度的厚隔膜区域，所述谐振区域是所述下部电极和所述上部电极隔着所述压电隔膜彼此面对的区域；并且

所述厚隔膜区域的宽度小于在与所述压电隔膜的厚度方向相交叉的方向上传播的声波的波长。

2.一种膜体声波谐振器，所述膜体声波谐振器包括：

基板；

下部电极；

设置在所述下部电极上的压电隔膜；以及

设置在所述压电隔膜上的上部电极；

其中：

所述下部电极和所述上部电极中的至少一个具有位于谐振区域的边缘处的具有比所述谐振区域的中央部分的厚度更厚的厚度的厚隔膜区域，所述谐振区域是所述下部电极和所述上部电极隔着所述压电隔膜彼此面对的区域；并且

当所述膜体声波谐振器的谐振频率是“fr”、所述压电隔膜的硬度是“c11”且所述压电隔膜的密度是“ρ”时，所述厚隔膜区域的宽度“w”由以下公式表示：

w<1frc11ρ.]]>

3.根据权利要求1所述的膜体声波谐振器，其中，所述在与所述压电隔膜的厚度方向相交叉的方向上传播的声波是具有与所述膜体声波谐振器振荡的声波的主模式相同的振动模式的低阶声波。

4.根据权利要求3所述的膜体声波谐振器，其中，所述厚隔膜区域的宽度是所述在与所述压电隔膜的厚度方向相交叉的方向上传播的声波的波长的一半或更小。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的膜体声波谐振器，其中，在所述谐振区域的下部电极下方设置有空隙或声学多层隔膜。

6.根据权利要求1至4中任意一项所述的膜体声波谐振器，其中，所述压电隔膜的在所述谐振区域外的部分比所述压电隔膜的在所述谐振区域中的其它部分薄。

7.根据权利要求1至4中任意一项所述的膜体声波谐振器，其中：

在所述厚隔膜区域中，所述下部电极和所述上部电极中的一个比所述谐振区域的中央部分厚；并且

所述下部电极和所述上部电极中的另一个比所述谐振区域薄。

8.根据权利要求1至4中任意一项所述的膜体声波谐振器，其中，所述压电隔膜的泊松比是0.3或更小。

9.一种滤波器，所述滤波器包括根据权利要求1至4中任意一项所述的膜体声波谐振器。

10.一种滤波器，所述滤波器包括：

并联地耦合在输入端子和输出端子之间的一个或更多个并联谐振器；以及

一个或更多个根据权利要求1所述的膜体声波谐振器，所述膜体声波谐振器用作串联谐振器且串联地耦合在所述输入端子和所述输出端子之间。

11.根据权利要求10所述的滤波器，其中：

所述一个或更多个并联谐振器包括：基板；设置在所述基板上的下部电极；设置在所述下部电极上的压电隔膜；以及设置在所述压电隔膜上的上部电极，其中，所述下部电极和所述上部电极中的至少一个具有位于谐振区域的边缘处的具有比所述谐振区域的中央部分的厚度更厚的厚度的厚隔膜区域，所述谐振区域是所述下部电极和所述上部电极隔着所述压电隔膜彼此面对的区域；并且

所述一个或更多个并联谐振器的所述厚隔膜区域的宽度大于所述一个或多个串联谐振器的所述厚隔膜区域的宽度。

12.一种双工器，所述双工器包括根据权利要求10或11所述的滤波器。